語系:
繁體中文
English
說明(常見問題)
圖資館首頁
登入
回首頁
切換:
標籤
|
MARC模式
|
ISBD
以流量調變式有機金屬化學氣相沈積法成長磷化銦磊晶膜 = Flow-rat...
~
林孟輝
以流量調變式有機金屬化學氣相沈積法成長磷化銦磊晶膜 = Flow-rate modulation of inp epitaxy by MoCVD
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:
Flow-rate modulation of inp epitaxy by MoCVD
作者:
林孟輝,
出版地:
高雄市
出版者:
國立中山大學電機工程研究所出版;
出版年:
1992[民81]
面頁冊數:
[10], 73面圖，表 : 29公分;
標題:
電機工程 - 碩士論文 -
附註:
指導教授：李明逵
附註:
參考書目：面41-46
以流量調變式有機金屬化學氣相沈積法成長磷化銦磊晶膜 = Flow-rate modulation of inp epitaxy by MoCVD
林, 孟輝
以流量調變式有機金屬化學氣相沈積法成長磷化銦磊晶膜
= Flow-rate modulation of inp epitaxy by MoCVD / 林孟輝撰 - 高雄市 : 國立中山大學電機工程研究所出版, 1992[民81]. - [10], 73面 ; 圖，表 ; 29公分.
指導教授：李明逵參考書目：面41-46.
電機工程 -- 碩士論文
以流量調變式有機金屬化學氣相沈積法成長磷化銦磊晶膜 = Flow-rate modulation of inp epitaxy by MoCVD
LDR
:00828nam0 2200229 450
001
100873
005
20100815062136.0
009
00261081
010
0
$b
精裝
100
$a
20090528y1992 k y0chiy09 e
101
1
$a
eng
$d
chi
$d
eng
102
$a
cw
105
$a
ak m 000yy
200
1
$a
以流量調變式有機金屬化學氣相沈積法成長磷化銦磊晶膜
$d
Flow-rate modulation of inp epitaxy by MoCVD
$z
eng
$f
林孟輝撰
210
$a
高雄市
$d
1992[民81]
$c
國立中山大學電機工程研究所出版
215
0
$a
[10], 73面
$c
圖，表
$d
29公分
300
$a
指導教授：李明逵
300
$a
參考書目：面41-46
328
$a
碩士論文--國立中山大學電機工程研究所
510
1
$a
Flow-rate modulation of inp epitaxy by MoCVD
$z
eng
606
$a
電機工程
$x
碩士論文
$2
csh
$3
427242
681
$a
008M/0009
$b
542201 4419
$v
增訂八版
700
$a
林
$b
孟輝
$4
撰
$3
129977
801
0
$a
cw
$b
NUK
$c
20070706
$g
CCR
801
1
$a
cw
$b
NUK
$c
20070706
$g
CCR
筆 0 讀者評論
全部
博碩士論文區(二樓)
館藏
1 筆 • 頁數 1 •
1
條碼號
館藏地
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約狀態
備註欄
附件
310001390130
博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
008M/0009 542201 4419 1992
一般使用(Normal)
在架
0
1 筆 • 頁數 1 •
1
評論
新增評論
分享你的心得
Export
取書館別
處理中
...
變更密碼
登入