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以有機金屬氣相沈積法低溫磊晶形成銻化鎵薄膜之成長機構與缺陷結構之研究 =...
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陳錫銘
以有機金屬氣相沈積法低溫磊晶形成銻化鎵薄膜之成長機構與缺陷結構之研究 = The growth mechanisms of low temperature growth and defect structures of gasb groen by mocvd
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:
The growth mechanisms of low temperature growth and defect structures of gasb groen by mocvd
作者:
陳錫銘,
出版地:
高雄市
出版者:
國立中山大學電機工程研究所;
出版年:
1991[民80]
面頁冊數:
[14], 106面圖,表 : 29公分;
附註:
指導教授:翁恆義、蘇炎坤
附註:
參考書目:面50-53
以有機金屬氣相沈積法低溫磊晶形成銻化鎵薄膜之成長機構與缺陷結構之研究 = The growth mechanisms of low temperature growth and defect structures of gasb groen by mocvd
陳, 錫銘
以有機金屬氣相沈積法低溫磊晶形成銻化鎵薄膜之成長機構與缺陷結構之研究
= The growth mechanisms of low temperature growth and defect structures of gasb groen by mocvd / 陳錫銘撰 - 高雄市 : 國立中山大學電機工程研究所, 1991[民80]. - [14], 106面 ; 圖,表 ; 29公分.
指導教授:翁恆義、蘇炎坤參考書目:面50-53.
以有機金屬氣相沈積法低溫磊晶形成銻化鎵薄膜之成長機構與缺陷結構之研究 = The growth mechanisms of low temperature growth and defect structures of gasb groen by mocvd
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310001389603
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學位論文
008M/0009 542201 7588 1991
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