語系:
繁體中文
English
說明(常見問題)
圖資館首頁
登入
回首頁
切換:
標籤
|
MARC模式
|
ISBD
銅銦化硫缺陷結構之研究 = Study on the defect st...
~
許永財
銅銦化硫缺陷結構之研究 = Study on the defect structure of culins2 semiconductor
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:
Study on the defect structure of culins2 semiconductor
作者:
許永財,
出版地:
高雄市
出版者:
國立中山大學電機工程研究所;
出版年:
1991[民80]
面頁冊數:
[8], 73面圖，表 : 29公分;
附註:
指導教授：翁恆義
附註:
參考書目：面70-72
銅銦化硫缺陷結構之研究 = Study on the defect structure of culins2 semiconductor
許, 永財
銅銦化硫缺陷結構之研究
= Study on the defect structure of culins2 semiconductor / 許永財撰 - 高雄市 : 國立中山大學電機工程研究所, 1991[民80]. - [8], 73面 ; 圖，表 ; 29公分.
指導教授：翁恆義參考書目：面70-72.
銅銦化硫缺陷結構之研究 = Study on the defect structure of culins2 semiconductor
LDR
:00805nam0 2200229 450
001
103197
005
20100815105239.0
009
00263444
010
0
$b
精裝
100
$a
20090528y1991 k y0chiy09 e
101
1
$a
eng
$d
chi
$d
eng
102
$a
cw
105
$a
ak m 000yy
200
1
$a
銅銦化硫缺陷結構之研究
$d
Study on the defect structure of culins2 semiconductor
$z
eng
$f
許永財撰
210
$a
高雄市
$d
1991[民80]
$c
國立中山大學電機工程研究所
215
0
$a
[8], 73面
$c
圖，表
$d
29公分
300
$a
指導教授：翁恆義
300
$a
參考書目：面70-72
328
$a
碩士論文--國立中山大學電機工程研究所
510
1
$a
Study on the defect structure of culins2 semiconductor
$z
eng
681
$a
008M/0009
$b
542201 0836
$v
增訂八版
700
$a
許
$b
永財
$4
撰
$3
132056
801
0
$a
cw
$b
NUK
$c
20070710
$g
CCR
801
1
$a
cw
$b
NUK
$c
20070710
$g
CCR
筆 0 讀者評論
全部
博碩士論文區(二樓)
館藏
1 筆 • 頁數 1 •
1
條碼號
館藏地
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約狀態
備註欄
附件
310001389652
博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
008M/0009 542201 0836 1991
一般使用(Normal)
在架
0
1 筆 • 頁數 1 •
1
評論
新增評論
分享你的心得
Export
取書館別
處理中
...
變更密碼
登入