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MIS偵測器光響應性能分析研究 = The Study of the M...

國立高雄大學電機工程學系--先進電子構裝技術產業研發碩士專班

MIS偵測器光響應性能分析研究 = The Study of the MIS Devices and Its Photo-Responsivity

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	The Study of the MIS Devices and Its Photo-Responsivity
作者:	林宣仰,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	民99[2010]
面頁冊數:	80面圖，表 : 30公分;
標題:	氧化鋁
標題:	Al2O3
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/85010548707553850070
摘要註:	本論文利用波長248nm氪氟(KrF)準分子脈衝雷射沉積法(Pulse Laser Deposition)濺鍍Al2O3材料於矽基板上並應用於金屬-絕緣層-半導體MIS結構光偵測器元件之光電特性研究。在準分子脈衝雷射能量688 mJ/cm2下，Al2O3沉積速率可以達到0.33 Å/pulse。MIS光偵測原理主要是利用矽半導體對光子的吸收而產生電子-電洞對，受介面電場影響下，在Al2O3薄膜與矽基板界面處產生電子遷移現象，而形成光電流。本論文中將利用I-V、C-V特性量測系統，討論對不同膜厚的MIS元件，電容-電壓特性、光照下電流-電壓特性以及不同波段光響應度之光電特性研究，可作為未來發展以矽為基礎之光電元件及窄光波段光偵測器之參考。 In this paper , We demonstrate the fabrication of an Al/ Al2O3/Si MIS device which using pulse laser deposition (PLD) to deposite Al2O3 thin films on p-type Si (100) substrate by 248nm KrF Excimer Laser. Deposition rate of Al2O3 thin film at 0.33 Å/pulse has been achieved with laser fluences of 688 mJ/cm2.By using the absorption characteristic of silicon to generate electron-hole pairs which will induce photon current by the effect of electric field in the depletion region at the interface of Al2O3 thin film and Si substrate.In addition, the measurements of C-V , I-V and the responsivity of the Al/Al2O3/Si MIS devices with various thicknesses of the Al2O3 layers are presented.These results will provide useful data for the development of Si-based photonic devices and narrow bandwidth photo-detectors in the future.

MIS偵測器光響應性能分析研究 = The Study of the MIS Devices and Its Photo-Responsivity
林, 宣仰

MIS偵測器光響應性能分析研究 = The Study of the MIS Devices and Its Photo-Responsivity / 林宣仰撰 - [高雄市] : 撰者, 民99[2010]. - 80面 ; 圖，表 ; 30公分.
參考書目：面.
氧化鋁Al2O3

MIS偵測器光響應性能分析研究 = The Study of the MIS Devices and Its Photo-Responsivity
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210 $a [高雄市] $c 撰者 $d 民99[2010]
215 0 $a 80面 $c 圖，表 $d 30公分
314 $a 指導教授：施明昌博士
320 $a 參考書目：面
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系--先進電子構裝技術產業研發碩士專班
330 $a 本論文利用波長248nm氪氟(KrF)準分子脈衝雷射沉積法(Pulse Laser Deposition)濺鍍Al2O3材料於矽基板上並應用於金屬-絕緣層-半導體MIS結構光偵測器元件之光電特性研究。在準分子脈衝雷射能量688 mJ/cm2下，Al2O3沉積速率可以達到0.33 Å/pulse。MIS光偵測原理主要是利用矽半導體對光子的吸收而產生電子-電洞對，受介面電場影響下，在Al2O3薄膜與矽基板界面處產生電子遷移現象，而形成光電流。本論文中將利用I-V、C-V特性量測系統，討論對不同膜厚的MIS元件，電容-電壓特性、光照下電流-電壓特性以及不同波段光響應度之光電特性研究，可作為未來發展以矽為基礎之光電元件及窄光波段光偵測器之參考。 In this paper , We demonstrate the fabrication of an Al/ Al2O3/Si MIS device which using pulse laser deposition (PLD) to deposite Al2O3 thin films on p-type Si (100) substrate by 248nm KrF Excimer Laser. Deposition rate of Al2O3 thin film at 0.33 Å/pulse has been achieved with laser fluences of 688 mJ/cm2.By using the absorption characteristic of silicon to generate electron-hole pairs which will induce photon current by the effect of electric field in the depletion region at the interface of Al2O3 thin film and Si substrate.In addition, the measurements of C-V , I-V and the responsivity of the Al/Al2O3/Si MIS devices with various thicknesses of the Al2O3 layers are presented.These results will provide useful data for the development of Si-based photonic devices and narrow bandwidth photo-detectors in the future.
510 1 $a The Study of the MIS Devices and Its Photo-Responsivity
610 0 $a 氧化鋁 $a 脈衝雷射沉積法 $a 光偵測器 $a 光響應度
610 1 $a Al2O3 $a Pulse Laser Deposition $a Photo-detectors $a Responsivity
681 $a 008M/0019 $b 542201 4432 $v 2007年版
700 1 $a 林 $b 宣仰 $4 撰 $3 483149
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系--先進電子構裝技術產業研發碩士專班 $3 170852
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