語系:
繁體中文
English
說明(常見問題)
圖資館首頁
登入
回首頁
切換:
標籤
|
MARC模式
|
ISBD
VLSI設計概論
~
Eshraghian, Kamra
VLSI設計概論
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
作者:
普克尼爾
其他作者:
艾希拉金
其他作者:
楊志能,
出版地:
台北縣五股鄉
出版者:
高立出版;
出版年:
2002[民91]
版本:
初版
面頁冊數:
20, 422面圖，表格 : 23公分;
標題:
積體電路 -
附註:
參考書目：面423-424
附註:
附錄：1.2.0微米雙層多晶矽雙層金屬n型井CMOS*-電性參數；2.1.2微米單層多晶矽雙層金屬n型井與p型井CMOS*-設計規則與流程及元件規格；3.可程式邏輯陣列
附註:
封面版本為第三版
附註:
Pucknell取譯普克尼爾
附註:
Eshraghian取譯艾希拉金
其他題名:
vlsi設計概論
VLSI設計概論
普克尼爾
VLSI設計概論
/ Douglas A. Pucknell，Kamran Eshraghian原著 ; 楊志能譯 - 初版. - 台北縣五股鄉 : 高立出版, 2002[民91]. - 20, 422面 ; 圖，表格 ; 23公分.
參考書目：面423-424附錄：1.2.0微米雙層多晶矽雙層金屬n型井CMOS*-電性參數；2.1.2微米單層多晶矽雙層金屬n型井與p型井CMOS*-設計規則與流程及元件規格；3.可程式邏輯陣列封面版本為第三版Pucknell取譯普克尼爾Eshraghian取譯艾希拉金.
積體電路
艾希拉金
VLSI設計概論
LDR
:00963nam a2200253 a 4500
001
291805
005
20110815145302.0
010
0
$b
平裝
100
$a
20110803d2002 m y0chiy50 e
101
1
$a
chi
$c
eng
102
$a
tw
105
$a
ak a 000yy
200
1
$a
VLSI設計概論
$f
Douglas A. Pucknell，Kamran Eshraghian原著
$g
楊志能譯
205
$a
初版
210
$a
台北縣五股鄉
$c
高立出版
$d
2002[民91]
215
0
$a
20, 422面
$c
圖，表格
$d
23公分
300
$a
參考書目：面423-424
300
$a
附錄：1.2.0微米雙層多晶矽雙層金屬n型井CMOS*-電性參數；2.1.2微米單層多晶矽雙層金屬n型井與p型井CMOS*-設計規則與流程及元件規格；3.可程式邏輯陣列
300
$a
封面版本為第三版
300
$a
Pucknell取譯普克尼爾
300
$a
Eshraghian取譯艾希拉金
517
1
$a
vlsi設計概論
$z
chi
527
1 1
$a
Basic VLSI design
$z
eng
606
$2
csh
$a
積體電路
$3
7300
681
$a
448.62
$b
8471
$v
2007年版
700
1
$a
普克尼爾
$c
(Pucknell, Douglas A.)
$4
原著
$3
508512
702
1
$a
艾希拉金
$c
(Eshraghian, Kamran)
$4
原著
$3
508513
702
1
$a
楊
$b
志能
$4
譯
$3
508505
750
1
$a
Pucknell
$b
Douglas A.
$3
508514
752
1
$a
Eshraghian
$b
Kamra
$3
508515
801
0
$a
tw
$b
NUK
$c
20110803
$g
CCR
筆 0 讀者評論
全部
東方語文圖書區(五樓)
館藏
1 筆 • 頁數 1 •
1
條碼號
館藏地
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約狀態
備註欄
附件
310002097924
東方語文圖書區(五樓)
1圖書
一般圖書
448.62 8471 2002
一般使用(Normal)
在架
0
1 筆 • 頁數 1 •
1
評論
新增評論
分享你的心得
Export
取書館別
處理中
...
變更密碼
登入