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磁控共濺鍍成長摻銅氧化鋅薄膜之物性研究 = The study of p...

匡建勳

磁控共濺鍍成長摻銅氧化鋅薄膜之物性研究 = The study of physical properties of Cu-doped ZnO films deposited by using a magnetron co-sputtering method

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	The study of physical properties of Cu-doped ZnO films deposited by using a magnetron co-sputtering method
作者:	匡建勳,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	2011[民100]
面頁冊數:	137葉部份彩圖，表格 : 30公分;
標題:	磁控濺鍍
標題:	Rf-sputtering
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/87670385120070785523
附註:	參考書目：葉126-129
摘要註:	我們成功地使用磁控濺鍍系統製作了兩系列的摻銅氧化鋅薄膜，分別使用藍寶石基版與玻璃基版，並且控制銅摻雜濃度介於0~16 %之間。摻銅氧化鋅薄膜樣品皆為c軸取向的纖鋅結構，且我們沒有在剛生成的薄膜中檢測到銅及銅氧化物的訊號。在我們樣品中，銅並沒有扮演著產生鐵磁性或增強鐵磁性的角色，摻銅氧化鋅薄膜的磁性來源應為氧化鋅本質的缺陷。而在退火樣品中，我們觀察到了低溫超順磁性，這是由於薄膜內部Cu-O的平面奈米結構所造成的，從SEM量測中也能很明顯的看到薄膜表面出現大量的顆粒。 We deposited two-series Zn1-xCuxO films, which are made on sapphire and glass substrates by using the RF-sputtering. And we controlled the Cu-doped concentrate between 0 % and 16 %. Zn1-xCuxO films are c-axis-oriented wurtzite structure, and we didn’t discover any Cu-metal or Cu-oxide signal. In our samples, Cu atoms do not play the produce-ferromagnetism or enhance-ferromagnetism role. The magnetic sources of Zn1-xCuxO films should be the defects of ZnO. And in the annealing samples, we observed the low-temperature superparamagnetism, which is caused by Cu-O planar nano-structure. Scanning Electron Microscopy (SEM) also shows lots of particles in film’s surface.

磁控共濺鍍成長摻銅氧化鋅薄膜之物性研究 = The study of physical properties of Cu-doped ZnO films deposited by using a magnetron co-sputtering method
匡, 建勳

磁控共濺鍍成長摻銅氧化鋅薄膜之物性研究 = The study of physical properties of Cu-doped ZnO films deposited by using a magnetron co-sputtering method / 匡建勳撰 - [高雄市] : 撰者, 2011[民100]. - 137葉 ; 部份彩圖，表格 ; 30公分.
參考書目：葉126-129.
磁控濺鍍Rf-sputtering

磁控共濺鍍成長摻銅氧化鋅薄膜之物性研究 = The study of physical properties of Cu-doped ZnO films deposited by using a magnetron co-sputtering method
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215 0 $a 137葉 $c 部份彩圖，表格 $d 30公分
300 $a 參考書目：葉126-129
314 $a 指導教授：胡裕民博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學應用物理學系碩士班
330 $a 我們成功地使用磁控濺鍍系統製作了兩系列的摻銅氧化鋅薄膜，分別使用藍寶石基版與玻璃基版，並且控制銅摻雜濃度介於0~16 %之間。摻銅氧化鋅薄膜樣品皆為c軸取向的纖鋅結構，且我們沒有在剛生成的薄膜中檢測到銅及銅氧化物的訊號。在我們樣品中，銅並沒有扮演著產生鐵磁性或增強鐵磁性的角色，摻銅氧化鋅薄膜的磁性來源應為氧化鋅本質的缺陷。而在退火樣品中，我們觀察到了低溫超順磁性，這是由於薄膜內部Cu-O的平面奈米結構所造成的，從SEM量測中也能很明顯的看到薄膜表面出現大量的顆粒。 We deposited two-series Zn1-xCuxO films, which are made on sapphire and glass substrates by using the RF-sputtering. And we controlled the Cu-doped concentrate between 0 % and 16 %. Zn1-xCuxO films are c-axis-oriented wurtzite structure, and we didn’t discover any Cu-metal or Cu-oxide signal. In our samples, Cu atoms do not play the produce-ferromagnetism or enhance-ferromagnetism role. The magnetic sources of Zn1-xCuxO films should be the defects of ZnO. And in the annealing samples, we observed the low-temperature superparamagnetism, which is caused by Cu-O planar nano-structure. Scanning Electron Microscopy (SEM) also shows lots of particles in film’s surface.
510 1 $a The study of physical properties of Cu-doped ZnO films deposited by using a magnetron co-sputtering method $z eng
610 0 $a 磁控濺鍍 $a 摻銅氧化鋅 $a 氧化鋅 $a 室溫鐵磁性 $a 低溫超順磁性
610 1 $a Rf-sputtering $a Cu-doped ZnO $a ZnO $a room temperature ferromagnetism $a low temperature superparamanetism
681 $a 008M/0019 $b 423203 7112 $v 2007年版
700 1 $a 匡 $b 建勳 $4 撰 $3 518878
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 應用物理學系碩士班 $3 353956
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856 7 $z 電子資源 $2 http $u http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/87670385120070785523