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具高度(111)優選方向之氧化銦薄膜製作及其電性研究 = Fabrica...

國立高雄大學應用物理學系碩士班

具高度(111)優選方向之氧化銦薄膜製作及其電性研究 = Fabrication and electrical properties of highly textured In2O3(111) films

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Fabrication and electrical properties of highly textured In2O3(111) films
作者:	楊凱舜,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	2012[民101]
面頁冊數:	83面圖，表格 : 30公分;
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/36460353072634973406
附註:	105年3月31日公開
附註:	參考書目：面82
摘要註:	在本研究中我們利用熱蒸鍍系統並使用不同製程方法製作氧化銦薄膜在玻璃與Al2O3(0001)、Al2O3(11-20)等不同基板上，其中之一的方式是先室溫蒸鍍完銦薄膜後再通入氧氣並逐漸加溫基板溫度，使其在基板上的銦薄膜逐漸氧化成氧化銦薄膜，由於初鍍銦薄膜在XRD繞射圖顯示具有(101)優選方向，氧化後的氧化銦薄膜則具有(111)優選方向，我們將探討銦薄膜氧化成氧化銦的物理特性。另一種方法是先讓基板加溫到不同的成長溫度後邊透氧邊鍍銦在玻璃與Al2O3(0001)、Al2O3(11-20)等不同基板上，由XRD繞射圖可知In2O3為多晶結構，藉由AFM量測可以得知此製程方法能得到較為平坦的膜面，在較低成長溫度約100oC時表面可以觀測到角錐狀結構，當成長溫度到400oC以上時Al2O3(0001)與Al2O3(11-20)會形成六角島狀結構，霍爾效應儀器量測最佳值則可以得到近似於ITO的電阻率，而在穿透率量測中能有90%以上的穿透率在可見光的區域裡，因此可以得知這樣製程方法能得到具有優良的光學性質與電特性氧化銦薄膜。最後，因為先室溫鍍銦後再通氧並逐漸加溫氧化的氧化銦薄膜具有優選方向，所以我們先用這種製程方法鍍上一層薄的氧化銦薄膜作為底層，再利用基板在高成長溫度下邊透氧邊鍍銦接著繼續鍍氧化銦薄膜，我們發現這樣的氧化銦薄膜也具有(111)優選方向，如此可以獲得兼具優選且平坦的氧化銦薄膜。 In this study, In2O3 thin films were grown on the glass, Al2O3(0001), Al2O3(11-20) substrates by thermal deposition. There were three different deposition procedures for the growth of In2O3 thin films. The first procedure was a thermal oxidation of In(101) film under oxygen ambient. The oxidized In films, namely In2O3, displayed a (111) preferred orientation. The second way of the fabrication of In2O3 films was an evaporation of In under oxygen ambient. The obtained In2O3 displayed a polycrystal structure. A relatively smooth surface and a better conductivity of In2O3 films can be achieved in this procedure. For the samples grown at 100oC, pyramidal nanostructures, possibly resulted by the accumulation of In atoms, were observed. For the samples deposition at a temperature higher than 400oC, the In2O3 films displayed hexagonal grains. At last, a combination of the above two procedures, namely the third method, was used to fabricate the In2O3(111) films. The textured In2O3(111) film made by evaporation of In under oxygen ambient was deposited on an ultrathin thermally oxidized In, that is In2O3(111), seeding layer. In contrast to the first procedure, a smooth surface and a good conductivity of In2O3 film can be obtained in this method. Furthermore, unlike the second method, the (111) texture structure can be persisted also.

具高度(111)優選方向之氧化銦薄膜製作及其電性研究 = Fabrication and electrical properties of highly textured In2O3(111) films
楊, 凱舜

具高度(111)優選方向之氧化銦薄膜製作及其電性研究 = Fabrication and electrical properties of highly textured In2O3(111) films / 楊凱舜撰 - [高雄市] : 撰者, 2012[民101]. - 83面 ; 圖，表格 ; 30公分.
105年3月31日公開參考書目：面82.

具高度(111)優選方向之氧化銦薄膜製作及其電性研究 = Fabrication and electrical properties of highly textured In2O3(111) films
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300 $a 參考書目：面82
314 $a 指導教授：余進忠博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學應用物理學系碩士班
330 $a 在本研究中我們利用熱蒸鍍系統並使用不同製程方法製作氧化銦薄膜在玻璃與Al2O3(0001)、Al2O3(11-20)等不同基板上，其中之一的方式是先室溫蒸鍍完銦薄膜後再通入氧氣並逐漸加溫基板溫度，使其在基板上的銦薄膜逐漸氧化成氧化銦薄膜，由於初鍍銦薄膜在XRD繞射圖顯示具有(101)優選方向，氧化後的氧化銦薄膜則具有(111)優選方向，我們將探討銦薄膜氧化成氧化銦的物理特性。另一種方法是先讓基板加溫到不同的成長溫度後邊透氧邊鍍銦在玻璃與Al2O3(0001)、Al2O3(11-20)等不同基板上，由XRD繞射圖可知In2O3為多晶結構，藉由AFM量測可以得知此製程方法能得到較為平坦的膜面，在較低成長溫度約100oC時表面可以觀測到角錐狀結構，當成長溫度到400oC以上時Al2O3(0001)與Al2O3(11-20)會形成六角島狀結構，霍爾效應儀器量測最佳值則可以得到近似於ITO的電阻率，而在穿透率量測中能有90%以上的穿透率在可見光的區域裡，因此可以得知這樣製程方法能得到具有優良的光學性質與電特性氧化銦薄膜。最後，因為先室溫鍍銦後再通氧並逐漸加溫氧化的氧化銦薄膜具有優選方向，所以我們先用這種製程方法鍍上一層薄的氧化銦薄膜作為底層，再利用基板在高成長溫度下邊透氧邊鍍銦接著繼續鍍氧化銦薄膜，我們發現這樣的氧化銦薄膜也具有(111)優選方向，如此可以獲得兼具優選且平坦的氧化銦薄膜。 In this study, In2O3 thin films were grown on the glass, Al2O3(0001), Al2O3(11-20) substrates by thermal deposition. There were three different deposition procedures for the growth of In2O3 thin films. The first procedure was a thermal oxidation of In(101) film under oxygen ambient. The oxidized In films, namely In2O3, displayed a (111) preferred orientation. The second way of the fabrication of In2O3 films was an evaporation of In under oxygen ambient. The obtained In2O3 displayed a polycrystal structure. A relatively smooth surface and a better conductivity of In2O3 films can be achieved in this procedure. For the samples grown at 100oC, pyramidal nanostructures, possibly resulted by the accumulation of In atoms, were observed. For the samples deposition at a temperature higher than 400oC, the In2O3 films displayed hexagonal grains. At last, a combination of the above two procedures, namely the third method, was used to fabricate the In2O3(111) films. The textured In2O3(111) film made by evaporation of In under oxygen ambient was deposited on an ultrathin thermally oxidized In, that is In2O3(111), seeding layer. In contrast to the first procedure, a smooth surface and a good conductivity of In2O3 film can be obtained in this method. Furthermore, unlike the second method, the (111) texture structure can be persisted also.
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