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摻混雜質的還原氧化石墨烯:其製備、p-n型轉換、與氣體感測特性 = Sy...
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國立高雄大學化學工程及材料工程學系碩士班
摻混雜質的還原氧化石墨烯:其製備、p-n型轉換、與氣體感測特性 = Synthesis, p-n transition, and gas sensing of doped reduced graphene oxide
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:
Synthesis, p-n transition, and gas sensing of doped reduced graphene oxide
作者:
張育銘,
其他團體作者:
國立高雄大學
出版地:
[高雄市]
出版者:
撰者;
出版年:
民103[2014]
面頁冊數:
103葉圖,表格 : 30公分;
標題:
氧化石墨烯
標題:
graphene oxide
電子資源:
http://hdl.handle.net/11296/ndltd/97977222103614752192
附註:
106年10月31日公開
附註:
參考書目:葉97-103
摘要註:
本研究利用漢墨法( Hummers method )合成氧化石墨烯,並經過抽氣過濾及轉印的方式,製備連續性石墨烯薄膜於鈉玻璃和二氧化矽基板上,再施以溫度100至400度之熱處理。隨不同退火溫度可控制還原氧化石墨烯內雜質的摻混型態與濃度,並改變其p-n型的電性質。掃描式電子顯微鏡(Scanning electron microcopy, SEM)與X光能量散佈光譜儀(X-ray energy dispersive spectroscopy, EDS)發現鈉玻璃中的鈉經由熱擴散機制摻混於石墨烯,並使其電性質由原本之p 型轉為n型。由X射線繞射儀(X-ray diffraction, XRD)與傅立葉紅外光光譜儀(Fourier transform infrared spectroscopy, FTIR)分析結果可知,氧化石墨烯隨退火溫度提升其含氧基團減少且層間距縮減。以此石墨烯製成的元件進行室溫下的酒精氣體感測,發現此元件有極高的感測靈敏度,在低濃度1 ppm 時靈敏度最高可達58 %,在500 ppm下最高可達11720 %,較目前所報導之結果有更高的靈敏度,具有相當的前瞻性。 In the work, we employee Hummers method, suction filtration, and transfer route to prepare continuous graphene oxide stacked films (GOSFs) on sodium glass and SiO2 coated Si substrates. Subsequently, the GOSFs were heated at 100-400℃ to modify the impurity concentration, electrical conductivity, and carrier types. Scanning electron microcopy and X-ray energy dispersive spectroscopy show the sodium ions was diffused from the sodium glass to GOSFs, which results in the carrier transition of the GOSFs from original p to n type. X-ray diffraction and Fourier transform infrared spectroscopy show the oxygen-containing functional groups and layer-to-layer distance of GO gradually decrease after the annealing treatments. Besides, nanodevices made by the GOSFs demonstrate high sensitivity to ethanol gas even at room temperature. At concentrations of 1 and 500 ppm, the best sensitivity reaches 50 and 11720 %, respectively. The GOSFs with excellent sensing performance is promising for developing room-temperature gas sensors.
摻混雜質的還原氧化石墨烯:其製備、p-n型轉換、與氣體感測特性 = Synthesis, p-n transition, and gas sensing of doped reduced graphene oxide
張, 育銘
摻混雜質的還原氧化石墨烯:其製備、p-n型轉換、與氣體感測特性
= Synthesis, p-n transition, and gas sensing of doped reduced graphene oxide / 張育銘撰 - [高雄市] : 撰者, 民103[2014]. - 103葉 ; 圖,表格 ; 30公分.
106年10月31日公開參考書目:葉97-103.
氧化石墨烯graphene oxide
摻混雜質的還原氧化石墨烯:其製備、p-n型轉換、與氣體感測特性 = Synthesis, p-n transition, and gas sensing of doped reduced graphene oxide
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106年10月31日公開
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指導教授:王瑞琪博士
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碩士論文--國立高雄大學化學工程及材料工程學系碩士班
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本研究利用漢墨法( Hummers method )合成氧化石墨烯,並經過抽氣過濾及轉印的方式,製備連續性石墨烯薄膜於鈉玻璃和二氧化矽基板上,再施以溫度100至400度之熱處理。隨不同退火溫度可控制還原氧化石墨烯內雜質的摻混型態與濃度,並改變其p-n型的電性質。掃描式電子顯微鏡(Scanning electron microcopy, SEM)與X光能量散佈光譜儀(X-ray energy dispersive spectroscopy, EDS)發現鈉玻璃中的鈉經由熱擴散機制摻混於石墨烯,並使其電性質由原本之p 型轉為n型。由X射線繞射儀(X-ray diffraction, XRD)與傅立葉紅外光光譜儀(Fourier transform infrared spectroscopy, FTIR)分析結果可知,氧化石墨烯隨退火溫度提升其含氧基團減少且層間距縮減。以此石墨烯製成的元件進行室溫下的酒精氣體感測,發現此元件有極高的感測靈敏度,在低濃度1 ppm 時靈敏度最高可達58 %,在500 ppm下最高可達11720 %,較目前所報導之結果有更高的靈敏度,具有相當的前瞻性。 In the work, we employee Hummers method, suction filtration, and transfer route to prepare continuous graphene oxide stacked films (GOSFs) on sodium glass and SiO2 coated Si substrates. Subsequently, the GOSFs were heated at 100-400℃ to modify the impurity concentration, electrical conductivity, and carrier types. Scanning electron microcopy and X-ray energy dispersive spectroscopy show the sodium ions was diffused from the sodium glass to GOSFs, which results in the carrier transition of the GOSFs from original p to n type. X-ray diffraction and Fourier transform infrared spectroscopy show the oxygen-containing functional groups and layer-to-layer distance of GO gradually decrease after the annealing treatments. Besides, nanodevices made by the GOSFs demonstrate high sensitivity to ethanol gas even at room temperature. At concentrations of 1 and 500 ppm, the best sensitivity reaches 50 and 11720 %, respectively. The GOSFs with excellent sensing performance is promising for developing room-temperature gas sensors.
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310002724790
博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 541208 1108 2014
一般使用(Normal)
在架
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博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 541208 1108 2014 c.2
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