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多晶矽微型測熱輻射器的型狀設計與量測 = Geometric Desig...

國立高雄大學電機工程學系--先進電子構裝技術產業研發碩士專班

多晶矽微型測熱輻射器的型狀設計與量測 = Geometric Design and Measurement of Polysilicon Microbolometer

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Geometric Design and Measurement of Polysilicon Microbolometer
作者:	梁毅,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	2014[民103]
面頁冊數:	75面圖，表 : 30公分;
標題:	紅外線
標題:	Infrared
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/45407277786682049963
附註:	參考書目：面62-64
附註:	103年12月16日公開
摘要註:	本論文研製之測熱輻射計微感測器以多晶矽材料為熱敏電阻材料做出熱阻型感測器，配合微機電技術採用TSMC 0.35μm Mixed Signal與TSMC 0.18μm Mixed Signal的標準CMOS製程，成功製作出感測面積小與多重幾何圖形，使用MEMS後製程使多晶矽感測體懸浮基板上，模擬多晶矽感測熱輻射吸收、溫度分佈與熱通量，探討元件製程與矽感測體量測及分析。在熱敏電阻材料方面，因摻雜成份的不同，D35製程呈現正溫度係數(positive temperature coefficient; PTC)，反之T18製程呈現負溫度係數(positive temperature coefficient; NTC)，而其主要感測區域為50μm × 50μm，經量測分析TSMC 0.35μm製程的電阻溫度係數在0.013~0.015%/℃區間，而TSMC 0.18μm製程的電阻溫度係數在-0.008~-0.02%/℃區間，相比下低於過去文獻，推測是感測體上方氧化層增加熱導影響了整體感測度，但使用模擬熱輻射溫度分佈與測量結果表明，使用懸掛臂形狀的感測體可有效的提高電阻溫度係數。 This thesis develops microbolometer with poly-silicon as radiation thermal absorber via TSMC 0.35μm (D35) and TSMC 0.18μm (T18) mixed signal CMOS process. Various geometric designs, about 50μm × 50μm, were successful fabricated and measured as well as modeling of their temperature distribution and heat flux.　　All the D35 devices possess a positive temperature coefficient whereas the T18 devices possess a negative temperature coefficient probably because of different doping concentration in poly-silicon. The temperature coefficient of resistance (TCR) of D35 is in the range of 0.013 ~ 0.015% / ℃, and -0.008 ~- 0.02% / ℃ for T18, which is one order lower than the previous report. Both of the simulated and measured results indicate that a extended suspended arms can enhance TCR.

多晶矽微型測熱輻射器的型狀設計與量測 = Geometric Design and Measurement of Polysilicon Microbolometer
梁, 毅

多晶矽微型測熱輻射器的型狀設計與量測 = Geometric Design and Measurement of Polysilicon Microbolometer / 梁毅撰 - [高雄市] : 撰者, 2014[民103]. - 75面 ; 圖，表 ; 30公分.
參考書目：面62-64103年12月16日公開.
紅外線Infrared

多晶矽微型測熱輻射器的型狀設計與量測 = Geometric Design and Measurement of Polysilicon Microbolometer
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300 $a 103年12月16日公開
314 $a 指導教授：張文騰博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系--先進電子構裝技術產業研發碩士專班
330 $a 本論文研製之測熱輻射計微感測器以多晶矽材料為熱敏電阻材料做出熱阻型感測器，配合微機電技術採用TSMC 0.35μm Mixed Signal與TSMC 0.18μm Mixed Signal的標準CMOS製程，成功製作出感測面積小與多重幾何圖形，使用MEMS後製程使多晶矽感測體懸浮基板上，模擬多晶矽感測熱輻射吸收、溫度分佈與熱通量，探討元件製程與矽感測體量測及分析。在熱敏電阻材料方面，因摻雜成份的不同，D35製程呈現正溫度係數(positive temperature coefficient; PTC)，反之T18製程呈現負溫度係數(positive temperature coefficient; NTC)，而其主要感測區域為50μm × 50μm，經量測分析TSMC 0.35μm製程的電阻溫度係數在0.013~0.015%/℃區間，而TSMC 0.18μm製程的電阻溫度係數在-0.008~-0.02%/℃區間，相比下低於過去文獻，推測是感測體上方氧化層增加熱導影響了整體感測度，但使用模擬熱輻射溫度分佈與測量結果表明，使用懸掛臂形狀的感測體可有效的提高電阻溫度係數。 This thesis develops microbolometer with poly-silicon as radiation thermal absorber via TSMC 0.35μm (D35) and TSMC 0.18μm (T18) mixed signal CMOS process. Various geometric designs, about 50μm × 50μm, were successful fabricated and measured as well as modeling of their temperature distribution and heat flux.　　All the D35 devices possess a positive temperature coefficient whereas the T18 devices possess a negative temperature coefficient probably because of different doping concentration in poly-silicon. The temperature coefficient of resistance (TCR) of D35 is in the range of 0.013 ~ 0.015% / ℃, and -0.008 ~- 0.02% / ℃ for T18, which is one order lower than the previous report. Both of the simulated and measured results indicate that a extended suspended arms can enhance TCR.
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610 0 $a 紅外線 $a 熱感測器 $a 熱敏電阻 $a 熱應力分析 $a MEMS製程
610 1 $a Infrared $a Microbolometer $a Thermistors $a Thermal Stress Analysis $a MEMS Process
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