國立高雄大學圖資館 |

語系: 繁體中文

說明(常見問題)

圖資館首頁

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

紫外光的雷射加工技術應用於砷化鎵晶片切割研究 = UV laser pr...

國立高雄大學電機工程學系--先進電子構裝技術產業研發碩士專班

紫外光的雷射加工技術應用於砷化鎵晶片切割研究 = UV laser processing technology applied GaAs wafer sawing reserch

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	UV laser processing technology applied GaAs wafer sawing reserch
作者:	謝其良,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	2014[民103]
面頁冊數:	42葉圖，表格 : 30公分;
標題:	砷化鎵
標題:	GaAs
電子資源:	https://hdl.handle.net/11296/q2sc7d
附註:	108年3月25日公開
附註:	參考書目：葉40-42
摘要註:	砷化鎵是一種高硬且脆的材料,在加工中容易晶粒的崩裂,不利於傳統鑽石刀切割加工,雷射加工屬於非接觸式加工，有別於傳統加工過程中所產生刀具磨耗、碎屑等影響，雷射加工具有能量密度高、加工快速、精密度佳、低成本與無污染等優點,因此本論文研究以雷射射在GaAs晶片上加工溝槽的特性，以紫外光雷射波長355um 探討不同雷射工率.頻率.切割速度,並觀察其切割後之表面形貌，配合本論文最佳化之雷射加工模型分析驗證,作為未來應用三五族晶粒切割之可行性。 GaAs wafer is a brittle material, there are problems in traditional diamond sawing such as die cracking, edge chipping and peeling. Therefore it is important to develop an alternative solution of die sawing for GaAs related device packaging. It is known that laser cutting has advantages of high precision and through put. In this thesis we downstate the sawing of GaAs die by UV laser of 355nm. In this experiment, we study laser sawing parameter in term of laser power, vepertion rate and cutting velocity. In addition a simple model of laser cutting is proposed to evaluate the laser cutting efficiency of GaAs wafer. As a conclusion, an optimized laser cutting parameters were achieved and is helpful to apply in GaAs related device package process.

紫外光的雷射加工技術應用於砷化鎵晶片切割研究 = UV laser processing technology applied GaAs wafer sawing reserch
謝, 其良

紫外光的雷射加工技術應用於砷化鎵晶片切割研究 = UV laser processing technology applied GaAs wafer sawing reserch / 謝其良撰 - [高雄市] : 撰者, 2014[民103]. - 42葉 ; 圖，表格 ; 30公分.
108年3月25日公開參考書目：葉40-42.
砷化鎵GaAs

紫外光的雷射加工技術應用於砷化鎵晶片切割研究 = UV laser processing technology applied GaAs wafer sawing reserch
LDR:02471nam0a2200277 450 001 430187
005 20190326104346.0
010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
100 $a 20141027y2014 k y0chiy50 e
101 1 $a chi $d chi $d eng
102 $a tw
105 $a ak am 000yy
200 1 $a 紫外光的雷射加工技術應用於砷化鎵晶片切割研究 $d UV laser processing technology applied GaAs wafer sawing reserch $z eng $f 謝其良撰
210 $a [高雄市] $c 撰者 $d 2014[民103]
215 0 $a 42葉 $c 圖，表格 $d 30公分
300 $a 108年3月25日公開
300 $a 參考書目：葉40-42
314 $a 指導教授：施明昌教授
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系--先進電子構裝技術產業研發碩士專班
330 $a 砷化鎵是一種高硬且脆的材料,在加工中容易晶粒的崩裂,不利於傳統鑽石刀切割加工,雷射加工屬於非接觸式加工，有別於傳統加工過程中所產生刀具磨耗、碎屑等影響，雷射加工具有能量密度高、加工快速、精密度佳、低成本與無污染等優點,因此本論文研究以雷射射在GaAs晶片上加工溝槽的特性，以紫外光雷射波長355um 探討不同雷射工率.頻率.切割速度,並觀察其切割後之表面形貌，配合本論文最佳化之雷射加工模型分析驗證,作為未來應用三五族晶粒切割之可行性。 GaAs wafer is a brittle material, there are problems in traditional diamond sawing such as die cracking, edge chipping and peeling. Therefore it is important to develop an alternative solution of die sawing for GaAs related device packaging. It is known that laser cutting has advantages of high precision and through put. In this thesis we downstate the sawing of GaAs die by UV laser of 355nm. In this experiment, we study laser sawing parameter in term of laser power, vepertion rate and cutting velocity. In addition a simple model of laser cutting is proposed to evaluate the laser cutting efficiency of GaAs wafer. As a conclusion, an optimized laser cutting parameters were achieved and is helpful to apply in GaAs related device package process.
510 1 $a UV laser processing technology applied GaAs wafer sawing reserch $z eng
610 # 0 $a 砷化鎵 $a 雷射切割 $a 紫外光雷射
610 # 1 $a GaAs $a laser cutting $a UV laser
681 $a 008M/0019 $b 542201 0443 $v 2007年版
700 1 $a 謝 $b 其良 $4 撰 $3 673405
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系--先進電子構裝技術產業研發碩士專班 $3 170852
801 0 $a tw $b NUK $c 20190313 $g CCR
856 7 # $u https://hdl.handle.net/11296/q2sc7d $2 http $z 電子資源