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氧化鋅薄膜的非彈性激子-激子散射發光之研究 = Photolumines...

國立高雄大學應用物理學系碩士班

氧化鋅薄膜的非彈性激子-激子散射發光之研究 = Photoluminescence due to inelastic exciton-exciton scattering in ZnO nanocrystalline film

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Photoluminescence due to inelastic exciton-exciton scattering in ZnO nanocrystalline film
作者:	顏敏修,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	2014[民103]
面頁冊數:	49面圖，表 : 30公分;
標題:	變強度度光致螢光
標題:	photoluminescence
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/39031515102691604902
附註:	參考書目：面38-40
附註:	103年12月16日公開
摘要註:	本研究是利用變激發強度光致螢光光譜技術,分析:(1)改變晶體粒徑的尺寸;(2)改變缺陷的多寡,激子-激子散射效率是否會受到影響。在實驗結果中, 我們發現:在粒徑尺寸越小的時候,造成激子-激子散射的門檻強度越低、激子- 激子散射發光強度與束縛激子強度的指數關係越高、在電子-電洞電漿態出現之前激子-激子散射發光強度與束縛激子發光強度也會越高。我們嘗試利用激子擴散以及巨大激子震盪子效應兩個觀點來做解釋。而後,在缺陷改變的情況下,同樣的觀察到了隨著晶體缺陷的減少,激子-激子散射發光強度與束縛激子強度的指數關係越高、在電子-電洞電漿態出現之前激子-激子散射發光強度與束縛激子發光強度也會越高。綜合以上結果,我們發現:粒徑尺寸是影響激子-激子散射較重要的因素之一。 The efficiency of exciton-exciton(X-X) scattering in ZnO with different crystalline size and defect were studied by excitation-density-dependent photoluminescence in this thesis. As the crystalline size decreases, the threshold-intensity of X-X scattering decreases, the power coefficient increases, and the intensity-ratio of X-X to donor bound exciton increases. These results are explained by exciton diffusion and giant exciton oscillator strength. As defects in the ZnO film decreases, we found crystalline that the power coefficient and the intensity-ratio increases. It is believed that crystalline size is an important factor to the X-X scattering.

氧化鋅薄膜的非彈性激子-激子散射發光之研究 = Photoluminescence due to inelastic exciton-exciton scattering in ZnO nanocrystalline film
顏, 敏修

氧化鋅薄膜的非彈性激子-激子散射發光之研究 = Photoluminescence due to inelastic exciton-exciton scattering in ZnO nanocrystalline film / 顏敏修撰 - [高雄市] : 撰者, 2014[民103]. - 49面 ; 圖，表 ; 30公分.
參考書目：面38-40103年12月16日公開.
變強度度光致螢光photoluminescence

氧化鋅薄膜的非彈性激子-激子散射發光之研究 = Photoluminescence due to inelastic exciton-exciton scattering in ZnO nanocrystalline film
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300 $a 103年12月16日公開
314 $a 指導教授：謝振豪博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學應用物理學系碩士班
330 $a 本研究是利用變激發強度光致螢光光譜技術,分析:(1)改變晶體粒徑的尺寸;(2)改變缺陷的多寡,激子-激子散射效率是否會受到影響。在實驗結果中, 我們發現:在粒徑尺寸越小的時候,造成激子-激子散射的門檻強度越低、激子- 激子散射發光強度與束縛激子強度的指數關係越高、在電子-電洞電漿態出現之前激子-激子散射發光強度與束縛激子發光強度也會越高。我們嘗試利用激子擴散以及巨大激子震盪子效應兩個觀點來做解釋。而後,在缺陷改變的情況下,同樣的觀察到了隨著晶體缺陷的減少,激子-激子散射發光強度與束縛激子強度的指數關係越高、在電子-電洞電漿態出現之前激子-激子散射發光強度與束縛激子發光強度也會越高。綜合以上結果,我們發現:粒徑尺寸是影響激子-激子散射較重要的因素之一。 The efficiency of exciton-exciton(X-X) scattering in ZnO with different crystalline size and defect were studied by excitation-density-dependent photoluminescence in this thesis. As the crystalline size decreases, the threshold-intensity of X-X scattering decreases, the power coefficient increases, and the intensity-ratio of X-X to donor bound exciton increases. These results are explained by exciton diffusion and giant exciton oscillator strength. As defects in the ZnO film decreases, we found crystalline that the power coefficient and the intensity-ratio increases. It is believed that crystalline size is an important factor to the X-X scattering.
510 1 $a Photoluminescence due to inelastic exciton-exciton scattering in ZnO nanocrystalline film $z eng
610 0 $a 變強度度光致螢光 $a 溶膠凝膠法 $a 氧化鋅 $a 激子-激子散射
610 1 $a photoluminescence $a sol-gel $a ZnO $a exciton-exciton scattering
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