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熱退火及氧電漿製程對高介電係數鈦酸鍶鋇鋯薄膜特性之影響 = The In...

國立中山大學電機工程學系

熱退火及氧電漿製程對高介電係數鈦酸鍶鋇鋯薄膜特性之影響 = The Influences of Thermal Annealing and Oxygen Plasma Treatment on the Characteristics of High Dielectric Coefficient (Ba,Sr)(Ti,Zr)O3 Thin Films

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	The Influences of Thermal Annealing and Oxygen Plasma Treatment on the Characteristics of High Dielectric Coefficient (Ba,Sr)(Ti,Zr)O3 Thin Films
作者:	張家豪,
其他團體作者:	國立中山大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	2004[民93]
面頁冊數:	118面圖，表 : 29公分;
附註:	參考書目：面43-47
摘要註:	本論文利用反應性射頻磁控濺鍍法，以最佳的濺鍍條件，在Pt/Ti/SiO2/Si 基板上製備(Ba,Sr)(Ti,Zr)O3 (BSTZ)薄膜，並將製備好的薄膜分別以快速熱退火、傳統爐退火、氧電漿、和氧化亞氮電漿進行後楚哩，以提升BSTZ薄膜之介電特性。在物性研究方面，藉由XRD、SEM與AFM分析，探討不同後處理對於BSTZ薄膜的影響。在電性方面，亦藉由HP4194A以及HP4156C半導體參數分析儀，分析在不同後處理下的薄膜，其MIM(metalinsulator-metal)結構之漏電流大小，並探討薄膜本身在不同電壓下其介電常數的變化。由實驗結果得知，BSTZ薄膜經過退火處理後，可以提升其介電常數及降低漏電流，但是過高的傳統爐退火溫度將使其漏電流過大;而在不同氣氛的電漿處理下，漏電特性均有明顯的降低，在氧電漿處理6分鐘後再使用快速熱退火600℃持溫2分鐘，介電常數可達295，在電廠0.1MV/cm下，漏電流密度為1.38x10-9A/cm2，可知適度地結合退火與電漿處理製程，將可有效地堤升薄膜之介電特性。

熱退火及氧電漿製程對高介電係數鈦酸鍶鋇鋯薄膜特性之影響 = The Influences of Thermal Annealing and Oxygen Plasma Treatment on the Characteristics of High Dielectric Coefficient (Ba,Sr)(Ti,Zr)O3 Thin Films
張, 家豪

熱退火及氧電漿製程對高介電係數鈦酸鍶鋇鋯薄膜特性之影響 = The Influences of Thermal Annealing and Oxygen Plasma Treatment on the Characteristics of High Dielectric Coefficient (Ba,Sr)(Ti,Zr)O3 Thin Films / 張家豪撰 - [高雄市] : 撰者, 2004[民93]. - 118面 ; 圖，表 ; 29公分.
參考書目：面43-47.

熱退火及氧電漿製程對高介電係數鈦酸鍶鋇鋯薄膜特性之影響 = The Influences of Thermal Annealing and Oxygen Plasma Treatment on the Characteristics of High Dielectric Coefficient (Ba,Sr)(Ti,Zr)O3 Thin Films
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210 $a [高雄市] $c 撰者 $d 2004[民93]
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300 $a 參考書目：面43-47
314 $a 指導教授：陳英忠博士
328 $a 碩士論文--國立中山大學電機工程學系
330 $a 本論文利用反應性射頻磁控濺鍍法，以最佳的濺鍍條件，在Pt/Ti/SiO2/Si 基板上製備(Ba,Sr)(Ti,Zr)O3 (BSTZ)薄膜，並將製備好的薄膜分別以快速熱退火、傳統爐退火、氧電漿、和氧化亞氮電漿進行後楚哩，以提升BSTZ薄膜之介電特性。在物性研究方面，藉由XRD、SEM與AFM分析，探討不同後處理對於BSTZ薄膜的影響。在電性方面，亦藉由HP4194A以及HP4156C半導體參數分析儀，分析在不同後處理下的薄膜，其MIM(metalinsulator-metal)結構之漏電流大小，並探討薄膜本身在不同電壓下其介電常數的變化。由實驗結果得知，BSTZ薄膜經過退火處理後，可以提升其介電常數及降低漏電流，但是過高的傳統爐退火溫度將使其漏電流過大;而在不同氣氛的電漿處理下，漏電特性均有明顯的降低，在氧電漿處理6分鐘後再使用快速熱退火600℃持溫2分鐘，介電常數可達295，在電廠0.1MV/cm下，漏電流密度為1.38x10-9A/cm2，可知適度地結合退火與電漿處理製程，將可有效地堤升薄膜之介電特性。
510 1 $a The Influences of Thermal Annealing and Oxygen Plasma Treatment on the Characteristics of High Dielectric Coefficient (Ba,Sr)(Ti,Zr)O3 Thin Films $z eng
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