以熱蒸鍍法沉積碲化鉍熱電薄膜特性之研究 = Investigation ...
國立中山大學電機工程學系

 

  • 以熱蒸鍍法沉積碲化鉍熱電薄膜特性之研究 = Investigation of the thermoelectric properties of Bi2Te3 thin films by thermal evaporation processes
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : 單行本
    並列題名: Investigation of the thermoelectric properties of Bi2Te3 thin films by thermal evaporation processes
    作者: 林祺弼,
    其他團體作者: 國立中山大學
    出版地: [高雄市]
    出版者: 撰者;
    出版年: 2013[民102]
    面頁冊數: 100面圖,表 : 29公分;
    標題: 熱電
    標題: thermoelectric
    附註: 參考書目:面97-100
    摘要註: 石油、煤、瓦斯等能源終有耗盡的一天,而基於對環保的訴求,熱電材料具備了低汙染及再生能源的優點,經由熱電的工作原理可將廢熱轉換成可用電能,增加能源利用的效率。碲化鉍與其系列合金為室溫下最佳之熱電材料,本實驗利用熱蒸鍍法(thermal evaportion)製備碲化鉍熱電薄膜,探討基版升溫與熱退火處理對薄膜物性及電性之影響。接下來,利用共蒸鍍法將金屬銀原子掺雜到Bi2Te3薄膜,同樣作基版升溫及熱退火處理,比較有摻雜與無摻雜對熱電特性之影響。在未摻雜時,由SEM可觀察到,增加基版溫度時其晶粒大小會隨著溫度增加而變大,由X-ray繞射分析得知,基版溫度在150℃時可得到較佳之晶相以及較佳的功率因子為4.89uW/cm‧K2。當溫度達到200℃時會產升BiTe雜相,使得薄膜品質變差,且材料特性會從n-type轉變為p-type,使得Seebeck係數呈現先上升後下降的趨勢。接著將試片以熱退火方式處理,由實驗結果得知薄膜原子會重新排列,使得缺陷減少,進而提升Seebeck係數。於本研究中,當基板溫度在150℃,熱退火溫度250℃,時間0.5小時的情況下得到最好的功率因子為0.18uW/cm‧K2。接著以此摻雜濃度進行基板升溫及熱退火處理,結果顯示再基板溫度100℃,熱退火溫度250℃,時間0.5小時的情況下,得到最佳功率因子為2.1uW/cm‧K2。
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310002516220 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0009 542201 4431 2013 一般使用(Normal) 在架 0
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