國立高雄大學圖資館 |

語系: 繁體中文

說明(常見問題)

圖資館首頁

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

以AIN/Si3N4/Si結構製作第四代通訊用表面聲波元件 = Desi...

國立中山大學電機工程學系

以AIN/Si3N4/Si結構製作第四代通訊用表面聲波元件 = Design and fabrication of 4G SAW device with AIN/Si3N4/Sistructure

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Design and fabrication of 4G SAW device with AIN/Si3N4/Sistructure
作者:	廖珮淳,
其他團體作者:	國立中山大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	2013[民102]
面頁冊數:	104面圖，表 : 29公分;
標題:	氮化鋁薄膜
標題:	AIN films
附註:	參考書目：面98-104
摘要註:	本研究擬研製高頻(GHz)Rayleigh模態特性之表面聲波元件以應用於未來的4G之通訊頻段。本研究採用射頻磁控濺鍍法以成長氮化鋁壓電薄膜，並藉由調變沉積參數以提升其品質機電耦合係數。本研究採用高導電特性、低質量密度及價格低廉之鋁薄膜當作IDT電極，並利用電子束微影製成之技術來代替傳統光學微影之製程，分別製作出四組不同奈米線寬的IDT電極，再利用原子力顯微鏡與四點探針分析法以進行物性和電性分析。本研究為考量良率、成本、製程時間及光學解析度...等關鍵因素，將採用反光罩圖層設計法結合乾式蝕刻製程，來完成本研究所設計之四組高頻SAW元件，利用網路分析機E5071C撘配CASCADE探針座以進行元件頻率響應的量測。由頻率響應分析得知，線寬為937nm、750nm、562nm以及375nm時，其中心頻率分別為1.402GHz、1.812GHz、2.425GHz以及3.747GHz，可分別應用於不同之通訊頻帶當中，例如:本研究所製作開發之375nm線寬之高頻SAW元件，其可應用於第四代(4G)通訊之LTE Band 41通訊規格(3.4~3.6Hz)中;而562nm線寬之高頻SAW元件，其可應用於第三代(3G)通訊之WCDMA(2GHz)通訊規格中。

以AIN/Si3N4/Si結構製作第四代通訊用表面聲波元件 = Design and fabrication of 4G SAW device with AIN/Si3N4/Sistructure
廖, 珮淳

以AIN/Si3N4/Si結構製作第四代通訊用表面聲波元件 = Design and fabrication of 4G SAW device with AIN/Si3N4/Sistructure / 廖珮淳撰 - [高雄市] : 撰者, 2013[民102]. - 104面 ; 圖，表 ; 29公分.
參考書目：面98-104.
氮化鋁薄膜AIN films

以AIN/Si3N4/Si結構製作第四代通訊用表面聲波元件 = Design and fabrication of 4G SAW device with AIN/Si3N4/Sistructure
LDR:02297nam0 2200241 450 001 447460
005 20150514135446.0
010 0 $b 平裝
100 $a 20150407d2013 k y0chiy05 e
101 1 $a chi $d chi $d eng
102 $a tw
105 $a ak am 000yy
200 1 $a 以AIN/Si3N4/Si結構製作第四代通訊用表面聲波元件 $d Design and fabrication of 4G SAW device with AIN/Si3N4/Sistructure $z eng $f 廖珮淳撰
210 $a [高雄市] $c 撰者 $d 2013[民102]
215 0 $a 104面 $c 圖，表 $d 29公分
300 $a 參考書目：面98-104
314 $a 指導教授：陳英忠博士
328 $a 碩士論文--國立中山大學電機工程學系
330 $a 本研究擬研製高頻(GHz)Rayleigh模態特性之表面聲波元件以應用於未來的4G之通訊頻段。本研究採用射頻磁控濺鍍法以成長氮化鋁壓電薄膜，並藉由調變沉積參數以提升其品質機電耦合係數。本研究採用高導電特性、低質量密度及價格低廉之鋁薄膜當作IDT電極，並利用電子束微影製成之技術來代替傳統光學微影之製程，分別製作出四組不同奈米線寬的IDT電極，再利用原子力顯微鏡與四點探針分析法以進行物性和電性分析。本研究為考量良率、成本、製程時間及光學解析度...等關鍵因素，將採用反光罩圖層設計法結合乾式蝕刻製程，來完成本研究所設計之四組高頻SAW元件，利用網路分析機E5071C撘配CASCADE探針座以進行元件頻率響應的量測。由頻率響應分析得知，線寬為937nm、750nm、562nm以及375nm時，其中心頻率分別為1.402GHz、1.812GHz、2.425GHz以及3.747GHz，可分別應用於不同之通訊頻帶當中，例如:本研究所製作開發之375nm線寬之高頻SAW元件，其可應用於第四代(4G)通訊之LTE Band 41通訊規格(3.4~3.6Hz)中;而562nm線寬之高頻SAW元件，其可應用於第三代(3G)通訊之WCDMA(2GHz)通訊規格中。
510 1 $a Design and fabrication of 4G SAW device with AIN/Si3N4/Sistructure $z eng
610 # 0 $a 氮化鋁薄膜 $a 表面聲波元件 $a 電子束微影製程技術 $a Rayleigh模態
610 # 1 $a AIN films $a SAW device $a Rayleigh-mode $a electron beam lithography $a RF magnetron sputtering
681 $a 008M/0009 $b 542201 0013 $v 2007年版
700 1 $a 廖 $b 珮淳 $4 撰 $3 702075
712 0 2 $a 國立中山大學 $b 電機工程學系 $3 700873
801 0 $a tw $b NUK $c 20150407 $g CCR