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以射頻磁控濺鍍技術製備鋯鈦酸鋇鐵電薄膜記憶元件之研究 = The Stu...

國立中山大學電機工程學系

以射頻磁控濺鍍技術製備鋯鈦酸鋇鐵電薄膜記憶元件之研究 = The Study of FeRAM Devices using BZT Ferroelectric Thin Film Prepared by the RF Magnetron Sputtering Process

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	The Study of FeRAM Devices using BZT Ferroelectric Thin Film Prepared by the RF Magnetron Sputtering Process
作者:	陳聯翔,
其他團體作者:	國立中山大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	2005[民94]
面頁冊數:	101面圖，表格 : 29公分;
附註:	參考書目：面47-50
摘要註:	本研究是利用反應性射頻磁控濺鍍沉積BZT鐵電薄膜於Pt/SiO2與SiO2/Si基板上製作成MFMIS與MFIS結構，藉由不同濺鍍參度數如氧氣濃度、濺鍍功率及沉積時間的改變，探討濺鍍參數對薄膜特性的影響。在物性研究方面，藉由XRD、AFM分析薄膜的結晶性與粗糙度；在電性研究方面，採用HP4284A阻抗分析參數儀以及HP4156C半導體參數分析儀，分析在不同濺鍍參數下之薄膜特性，並探討MFMIS與MFIS元件結構的特性。經由MFMIS結構之特性量測結果，可獲得薄膜最佳製程參數，並得到最佳的介電常數為197與外家電廠0.5MV/cm下的漏電大小為1.41x10-7 A/cm2。此外，由電滯曲線之可得矯頑電場為30kV/cm 與殘餘極化量為7μC/cm2。另外，在本研究之MFIS結構中，最大的記憶窗口與最低漏電也將被詳細的討論。

以射頻磁控濺鍍技術製備鋯鈦酸鋇鐵電薄膜記憶元件之研究 = The Study of FeRAM Devices using BZT Ferroelectric Thin Film Prepared by the RF Magnetron Sputtering Process
陳, 聯翔

以射頻磁控濺鍍技術製備鋯鈦酸鋇鐵電薄膜記憶元件之研究 = The Study of FeRAM Devices using BZT Ferroelectric Thin Film Prepared by the RF Magnetron Sputtering Process / 陳聯翔撰 - [高雄市] : 撰者, 2005[民94]. - 101面 ; 圖，表格 ; 29公分.
參考書目：面47-50.

以射頻磁控濺鍍技術製備鋯鈦酸鋇鐵電薄膜記憶元件之研究 = The Study of FeRAM Devices using BZT Ferroelectric Thin Film Prepared by the RF Magnetron Sputtering Process
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300 $a 參考書目：面47-50
314 $a 指導教授：陳英忠博士
328 $a 碩士論文--國立中山大學電機工程學系
330 $a 本研究是利用反應性射頻磁控濺鍍沉積BZT鐵電薄膜於Pt/SiO2與SiO2/Si基板上製作成MFMIS與MFIS結構，藉由不同濺鍍參度數如氧氣濃度、濺鍍功率及沉積時間的改變，探討濺鍍參數對薄膜特性的影響。在物性研究方面，藉由XRD、AFM分析薄膜的結晶性與粗糙度；在電性研究方面，採用HP4284A阻抗分析參數儀以及HP4156C半導體參數分析儀，分析在不同濺鍍參數下之薄膜特性，並探討MFMIS與MFIS元件結構的特性。經由MFMIS結構之特性量測結果，可獲得薄膜最佳製程參數，並得到最佳的介電常數為197與外家電廠0.5MV/cm下的漏電大小為1.41x10-7 A/cm2。此外，由電滯曲線之可得矯頑電場為30kV/cm 與殘餘極化量為7μC/cm2。另外，在本研究之MFIS結構中，最大的記憶窗口與最低漏電也將被詳細的討論。
510 1 $a The Study of FeRAM Devices using BZT Ferroelectric Thin Film Prepared by the RF Magnetron Sputtering Process $z eng
681 $a 008M/0009 $b 542201 7518 $v 2007年版
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