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以射頻磁控濺鍍技術製備鋯酸鋇鐵電薄膜記憶元件之研究 = The Stud...

國立中山大學電機工程學系

以射頻磁控濺鍍技術製備鋯酸鋇鐵電薄膜記憶元件之研究 = The Study of FeRAM Devices using BZT Ferroelectric Thin Film Prepared by the RF magnetron Sputtering Process

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	The Study of FeRAM Devices using BZT Ferroelectric Thin Film Prepared by the RF magnetron Sputtering Process
作者:	陳聯祥,
其他團體作者:	國立中山大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	2005[民94]
面頁冊數:	101面圖，表格 : 30公分;
附註:	參考書目：面46-49

以射頻磁控濺鍍技術製備鋯酸鋇鐵電薄膜記憶元件之研究 = The Study of FeRAM Devices using BZT Ferroelectric Thin Film Prepared by the RF magnetron Sputtering Process
陳, 聯祥

以射頻磁控濺鍍技術製備鋯酸鋇鐵電薄膜記憶元件之研究 = The Study of FeRAM Devices using BZT Ferroelectric Thin Film Prepared by the RF magnetron Sputtering Process / 陳聯祥撰 - [高雄市] : 撰者, 2005[民94]. - 101面 ; 圖，表格 ; 30公分.
參考書目：面46-49.

以射頻磁控濺鍍技術製備鋯酸鋇鐵電薄膜記憶元件之研究 = The Study of FeRAM Devices using BZT Ferroelectric Thin Film Prepared by the RF magnetron Sputtering Process
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300 $a 參考書目：面46-49
314 $a 指導教授：陳英忠博士
328 $a 碩士論文--國立中山大學電機工程學系
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681 $a 008M/0009 $b 542201 7513 $v 2007年版
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