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鐵電記憶元件在多晶系薄膜電晶體上的製備 = Fabrication of...
~
國立中山大學電機工程學系
鐵電記憶元件在多晶系薄膜電晶體上的製備 = Fabrication of Ferroelectric Memory Devices on Top-gated Polycrystalline Sillicon Thin-Film Transistors
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:
Fabrication of Ferroelectric Memory Devices on Top-gated Polycrystalline Sillicon Thin-Film Transistors
作者:
陳志聖,
其他團體作者:
國立中山大學
出版地:
[高雄市]
出版者:
撰者;
出版年:
2007[民96]
面頁冊數:
127面圖,表 : 30公分;
標題:
鐵電
標題:
ferroelectric
附註:
參考書目:面61-69
鐵電記憶元件在多晶系薄膜電晶體上的製備 = Fabrication of Ferroelectric Memory Devices on Top-gated Polycrystalline Sillicon Thin-Film Transistors
陳, 志聖
鐵電記憶元件在多晶系薄膜電晶體上的製備
= Fabrication of Ferroelectric Memory Devices on Top-gated Polycrystalline Sillicon Thin-Film Transistors / 陳志聖撰 - [高雄市] : 撰者, 2007[民96]. - 127面 ; 圖,表 ; 30公分.
參考書目:面61-69.
鐵電ferroelectric
鐵電記憶元件在多晶系薄膜電晶體上的製備 = Fabrication of Ferroelectric Memory Devices on Top-gated Polycrystalline Sillicon Thin-Film Transistors
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指導教授:陳英忠教授
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碩士論文--國立中山大學電機工程學系
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Fabrication of Ferroelectric Memory Devices on Top-gated Polycrystalline Sillicon Thin-Film Transistors
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310002516600
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學位論文
TH 008M/0009 542201 7541 2007
一般使用(Normal)
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