鐵電記憶元件在多晶系薄膜電晶體上的製備 = Fabrication of...
國立中山大學電機工程學系

 

  • 鐵電記憶元件在多晶系薄膜電晶體上的製備 = Fabrication of Ferroelectric Memory Devices on Top-gated Polycrystalline Sillicon Thin-Film Transistors
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : 單行本
    並列題名: Fabrication of Ferroelectric Memory Devices on Top-gated Polycrystalline Sillicon Thin-Film Transistors
    作者: 陳志聖,
    其他團體作者: 國立中山大學
    出版地: [高雄市]
    出版者: 撰者;
    出版年: 2007[民96]
    面頁冊數: 127面圖,表 : 30公分;
    標題: 鐵電
    標題: ferroelectric
    附註: 參考書目:面61-69
館藏
  • 1 筆 • 頁數 1 •
 
310002516600 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0009 542201 7541 2007 一般使用(Normal) 在架 0
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