國立高雄大學圖資館 |

語系: 繁體中文

說明(常見問題)

圖資館首頁

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

外應力與背面調整電壓對鰭式場效電晶體與超薄絕緣層上矽場效電晶體之特性影響...

國立高雄大學電機工程學系碩士班

外應力與背面調整電壓對鰭式場效電晶體與超薄絕緣層上矽場效電晶體之特性影響 = Characterization of FinFET and UTBB SOI FETs with External Stresses and Back Bias Modulation

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Characterization of FinFET and UTBB SOI FETs with External Stresses and Back Bias Modulation
作者:	施政廷,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	2015[民104]
面頁冊數:	74面圖，表 : 30公分;
標題:	多閘極電晶體
標題:	FinFETs
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/17968004134449728971
附註:	104年10月31日公開
附註:	參考書目：面61-63
摘要註:	本論文研究觀察不同的應力與背面電壓對於鰭式場效電晶體與超薄絕緣層上矽場效電晶體的電性影響。結果顯示,超薄絕緣層上矽場效電晶體的臨界電壓與轉移電導的調整幅度相對於鰭式場效電晶體比較大,可能原因是超薄絕緣層上矽場效電晶體有較低的基極串聯電阻。我們給予鰭式場效電晶體晶片通道施壓外部應力,然後觀察其變化趨勢。通道方向[110]的壓阻係數理論表現於施加壓力的情形,當外應力為伸張時,元件的驅動電壓與轉移電導都有較佳的表現。當外應力為壓縮時,元件的驅動電壓與轉移電導則會有較差的表現。這顯示,應變工程也可以應用於3D的元件,如鰭式場效電晶體。 This thesis studies the effects of external stresses and back bias modulation for FinFETs and ultra-thin-body and box silicon-on-insulator (UTBB SOI) FEFs. The results show that UTBB SOI has larger threshold voltage and transconductance modulation compared to SOI FinFETs probably because of low body series resistance within UTBB SOI. The phenomenon to enforce tensile/compressive stresses on n type FinFETs enhance/degrade their transconductance meet the theory of piezoresistance coefficients of [110] orientation silicon. This suggests that the strain engineering can be also applied on 3D FETs, such as FinFETs.

外應力與背面調整電壓對鰭式場效電晶體與超薄絕緣層上矽場效電晶體之特性影響 = Characterization of FinFET and UTBB SOI FETs with External Stresses and Back Bias Modulation
施, 政廷

外應力與背面調整電壓對鰭式場效電晶體與超薄絕緣層上矽場效電晶體之特性影響 = Characterization of FinFET and UTBB SOI FETs with External Stresses and Back Bias Modulation / 施政廷撰 - [高雄市] : 撰者, 2015[民104]. - 74面 ; 圖，表 ; 30公分.
104年10月31日公開參考書目：面61-63.
多閘極電晶體FinFETs

外應力與背面調整電壓對鰭式場效電晶體與超薄絕緣層上矽場效電晶體之特性影響 = Characterization of FinFET and UTBB SOI FETs with External Stresses and Back Bias Modulation
LDR:02703nam0a2200289 450 001 458455
005 20170214092450.0
009 458455
010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
100 $a 20170214d2015 k y0chiy50 e
101 0 $a chi
102 $a tw
105 $a ak am 000yy
200 1 $a 外應力與背面調整電壓對鰭式場效電晶體與超薄絕緣層上矽場效電晶體之特性影響 $d Characterization of FinFET and UTBB SOI FETs with External Stresses and Back Bias Modulation $z eng $f 施政廷撰
210 $a [高雄市] $c 撰者 $d 2015[民104]
215 0 $a 74面 $c 圖，表 $d 30公分
300 $a 104年10月31日公開
300 $a 參考書目：面61-63
314 $a 指導教授：張文騰博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩士班
330 $a 本論文研究觀察不同的應力與背面電壓對於鰭式場效電晶體與超薄絕緣層上矽場效電晶體的電性影響。結果顯示,超薄絕緣層上矽場效電晶體的臨界電壓與轉移電導的調整幅度相對於鰭式場效電晶體比較大,可能原因是超薄絕緣層上矽場效電晶體有較低的基極串聯電阻。我們給予鰭式場效電晶體晶片通道施壓外部應力,然後觀察其變化趨勢。通道方向[110]的壓阻係數理論表現於施加壓力的情形,當外應力為伸張時,元件的驅動電壓與轉移電導都有較佳的表現。當外應力為壓縮時,元件的驅動電壓與轉移電導則會有較差的表現。這顯示,應變工程也可以應用於3D的元件,如鰭式場效電晶體。 This thesis studies the effects of external stresses and back bias modulation for FinFETs and ultra-thin-body and box silicon-on-insulator (UTBB SOI) FEFs. The results show that UTBB SOI has larger threshold voltage and transconductance modulation compared to SOI FinFETs probably because of low body series resistance within UTBB SOI. The phenomenon to enforce tensile/compressive stresses on n type FinFETs enhance/degrade their transconductance meet the theory of piezoresistance coefficients of [110] orientation silicon. This suggests that the strain engineering can be also applied on 3D FETs, such as FinFETs.
510 1 $a Characterization of FinFET and UTBB SOI FETs with External Stresses and Back Bias Modulation $z eng
610 0 $a 多閘極電晶體 $a 超薄絕緣層上矽電晶體 $a 背面電壓 $a 外應力 $a 轉移電導 $a 臨界電壓
610 1 $a FinFETs $a UTBB SOI FEFs $a External Stresses $a Back Bias Modulation $a Transconductance $a Threshold voltage
681 $a 008M/0019 $b 542201 0811 $v 2007年版
700 1 $a 施 $b 政廷 $4 撰 $3 26046
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩士班 $3 166118
801 0 $a tw $b NUK $c 20151026 $g CCR
856 7 $z 電子資源 $2 http $u http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/17968004134449728971