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新型磷化銦鎵/砷化鎵/鉍砷化鎵與磷化銦/砷化銦鎵異質結構電晶體之電性研究...
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吳宜蓁
新型磷化銦鎵/砷化鎵/鉍砷化鎵與磷化銦/砷化銦鎵異質結構電晶體之電性研究 = Investigation of Electrical Properties in Novel InGaP/GaAs/GaAsBi and InP/InGaAs Heterostructure Transistors
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:
Investigation of Electrical Properties in Novel InGaP/GaAs/GaAsBi and InP/InGaAs Heterostructure Transistors
作者:
吳宜蓁,
其他團體作者:
國立高雄大學
出版地:
高雄市
出版者:
國立高雄大學;
出版年:
2017[民106]
面頁冊數:
90葉圖,表 : 30公分;
標題:
磷化銦鎵/砷化鎵/鉍砷化鎵
標題:
InGaP/GaAs/GaAsBi
電子資源:
http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/89030355659517462565
附註:
106年10月25日公開
新型磷化銦鎵/砷化鎵/鉍砷化鎵與磷化銦/砷化銦鎵異質結構電晶體之電性研究 = Investigation of Electrical Properties in Novel InGaP/GaAs/GaAsBi and InP/InGaAs Heterostructure Transistors
吳, 宜蓁
新型磷化銦鎵/砷化鎵/鉍砷化鎵與磷化銦/砷化銦鎵異質結構電晶體之電性研究
= Investigation of Electrical Properties in Novel InGaP/GaAs/GaAsBi and InP/InGaAs Heterostructure Transistors / 吳宜蓁撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2017[民106]. - 90葉 ; 圖,表 ; 30公分.
106年10月25日公開.
參考書目: 葉68-90.
磷化銦鎵/砷化鎵/鉍砷化鎵InGaP/GaAs/GaAsBi
新型磷化銦鎵/砷化鎵/鉍砷化鎵與磷化銦/砷化銦鎵異質結構電晶體之電性研究 = Investigation of Electrical Properties in Novel InGaP/GaAs/GaAsBi and InP/InGaAs Heterostructure Transistors
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106年10月25日公開
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指導教授: 江德光教授, 蔡榮輝教授
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參考書目: 葉68-90
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博士論文--國立高雄大學電機工程學系博士班
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310002761198
博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 542201 2634 2017
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在架
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學位論文
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http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/89030355659517462565
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