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有關多重閘極金氧半場效電晶體次臨界行為及其應用在低功耗邏輯之解析模型 =...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

有關多重閘極金氧半場效電晶體次臨界行為及其應用在低功耗邏輯之解析模型 = The Subthreshold Behavior Model for the Multiple-Gate MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	The Subthreshold Behavior Model for the Multiple-Gate MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate
作者:	柯盈彣,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2018[民107]
面頁冊數:	xiii,152葉圖 : 30公分;
標題:	次臨界行為
標題:	Subthreshold Logic circuit
電子資源:	https://hdl.handle.net/11296/dku6k9
附註:	110年12月1日公開
附註:	參考書目：葉145-150

有關多重閘極金氧半場效電晶體次臨界行為及其應用在低功耗邏輯之解析模型 = The Subthreshold Behavior Model for the Multiple-Gate MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate
柯, 盈彣

有關多重閘極金氧半場效電晶體次臨界行為及其應用在低功耗邏輯之解析模型 = The Subthreshold Behavior Model for the Multiple-Gate MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate / 柯盈彣撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2018[民107]. - xiii,152葉 ; 圖 ; 30公分.
110年12月1日公開參考書目：葉145-150.
次臨界行為Subthreshold Logic circuit

有關多重閘極金氧半場效電晶體次臨界行為及其應用在低功耗邏輯之解析模型 = The Subthreshold Behavior Model for the Multiple-Gate MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate
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300 $a 參考書目：葉145-150
314 $a 指導教授：江德光博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a The Subthreshold Behavior Model for the Multiple-Gate MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate $z eng
610 # 0 $a 次臨界行為 $a 次臨界邏輯電路 $a 微縮理論 $a 短通道效應 $a 多閘極金氧半場效電晶體
610 # 1 $a Subthreshold Logic circuit $a Subthreshold behavior $a Short-Channel Effects $a Scaling Theory $a Multiple-Gate MOSFETs
681 $a 008M/0019 $b 542201 4110 $v 2007年版
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