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熱載子效應及定電壓應力對不同主動區面積Tri-Gate FinFET元件...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

熱載子效應及定電壓應力對不同主動區面積Tri-Gate FinFET元件之可靠度研究 = Study on Reliability of Tri-gate FinFET with Different Active Surface Area(SA) in Hot Carriers Effect and Constant Voltage Stress

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Study on Reliability of Tri-gate FinFET with Different Active Surface Area(SA) in Hot Carriers Effect and Constant Voltage Stress
作者:	許值誠,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2018[民107]
面頁冊數:	55葉圖 : 30公分;
標題:	淺溝槽隔離
標題:	Active Surface Area
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/jf6x7q
附註:	112年9月18日公開
附註:	參考書目: 葉52-55

熱載子效應及定電壓應力對不同主動區面積Tri-Gate FinFET元件之可靠度研究 = Study on Reliability of Tri-gate FinFET with Different Active Surface Area(SA) in Hot Carriers Effect and Constant Voltage Stress
許, 值誠

熱載子效應及定電壓應力對不同主動區面積Tri-Gate FinFET元件之可靠度研究 = Study on Reliability of Tri-gate FinFET with Different Active Surface Area(SA) in Hot Carriers Effect and Constant Voltage Stress / 許值誠撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2018[民107]. - 55葉 ; 圖 ; 30公分.
112年9月18日公開參考書目: 葉52-55.
淺溝槽隔離Active Surface Area

熱載子效應及定電壓應力對不同主動區面積Tri-Gate FinFET元件之可靠度研究 = Study on Reliability of Tri-gate FinFET with Different Active Surface Area(SA) in Hot Carriers Effect and Constant Voltage Stress
LDR:01258pam0a2200265 450 001 526342
005 20240722095849.0
010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
100 $a 20181011y2018 k y0chiy50 e
101 0 $a chi $d chi $d eng
102 $a tw
105 $a a am 000yy
200 1 $a 熱載子效應及定電壓應力對不同主動區面積Tri-Gate FinFET元件之可靠度研究 $d Study on Reliability of Tri-gate FinFET with Different Active Surface Area(SA) in Hot Carriers Effect and Constant Voltage Stress $z eng $f 許值誠撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2018[民107]
215 0 $a 55葉 $c 圖 $d 30公分
300 $a 112年9月18日公開
300 $a 參考書目: 葉52-55
314 $a 指導教授: 葉文冠博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Study on Reliability of Tri-gate FinFET with Different Active Surface Area(SA) in Hot Carriers Effect and Constant Voltage Stress $z eng
610 0 $a 淺溝槽隔離 $a 接觸蝕刻停止層 $a 主動區面積 $a 鰭式場效電晶體
610 1 $a Active Surface Area $a FinFET $a Contact Etch Stop Layer $a STI
681 $a 008M/0019 $b 542201 0820 $v 2007年版
700 1 $a 許 $b 值誠 $4 撰 $3 799003
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩博士班 $3 769000
801 0 $a tw $b NUK $c 20181011 $g CCR
856 7 $u http://handle.ncl.edu.tw/11296/jf6x7q $z 電子資源 $2 http