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在p層和藍寶石基板上使用多層石墨烯透明電極的氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發...

國立高雄大學應用物理學系碩士班

在p層和藍寶石基板上使用多層石墨烯透明電極的氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體中增強元件性能和載子傳輸 = Enhancement of device performance and carrier transport in InGaN/GaN multiple-quantum well light emitting diodes with multilayer graphene transparent electrodes on the p-layer and on the sapphire substrate

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Enhancement of device performance and carrier transport in InGaN/GaN multiple-quantum well light emitting diodes with multilayer graphene transparent electrodes on the p-layer and on the sapphire substrate
作者:	王盈翔,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2018[民107]
面頁冊數:	[13]，74葉圖 : 30公分;
標題:	氮化銦鎵/氮化鎵量子井外延層發光二極體
標題:	InGaN/GaN MQW epilayers LEDs
電子資源:	https://hdl.handle.net/11296/utvzf6
附註:	109年11月18日公開
附註:	參考書目：葉45-46

在p層和藍寶石基板上使用多層石墨烯透明電極的氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體中增強元件性能和載子傳輸 = Enhancement of device performance and carrier transport in InGaN/GaN multiple-quantum well light emitting diodes with multilayer graphene transparent electrodes on the p-layer and on the sapphire substrate
王, 盈翔

在p層和藍寶石基板上使用多層石墨烯透明電極的氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體中增強元件性能和載子傳輸 = Enhancement of device performance and carrier transport in InGaN/GaN multiple-quantum well light emitting diodes with multilayer graphene transparent electrodes on the p-layer and on the sapphire substrate / 王盈翔撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2018[民107]. - [13]，74葉 ; 圖 ; 30公分.
109年11月18日公開參考書目：葉45-46.
氮化銦鎵/氮化鎵量子井外延層發光二極體InGaN/GaN MQW epilayers LEDs

在p層和藍寶石基板上使用多層石墨烯透明電極的氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體中增強元件性能和載子傳輸 = Enhancement of device performance and carrier transport in InGaN/GaN multiple-quantum well light emitting diodes with multilayer graphene transparent electrodes on the p-layer and on the sapphire substrate
LDR:01622pam0a2200265 450 001 526426
005 20220310133939.0
010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
100 $a 20181011y2018 k y0chiy50 b
101 0 $a eng $d eng $d chi
102 $a tw
105 $a a am 000yy
200 1 $a 在p層和藍寶石基板上使用多層石墨烯透明電極的氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體中增強元件性能和載子傳輸 $d Enhancement of device performance and carrier transport in InGaN/GaN multiple-quantum well light emitting diodes with multilayer graphene transparent electrodes on the p-layer and on the sapphire substrate $z eng $f 王盈翔撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2018[民107]
215 0 $a [13]，74葉 $c 圖 $d 30公分
300 $a 109年11月18日公開
300 $a 參考書目：葉45-46
314 $a 指導教授：馮世維博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學應用物理學系碩士班
510 1 $a Enhancement of device performance and carrier transport in InGaN/GaN multiple-quantum well light emitting diodes with multilayer graphene transparent electrodes on the p-layer and on the sapphire substrate $z eng
610 # 0 $a 氮化銦鎵/氮化鎵量子井外延層發光二極體 $a 響應時間 $a 載子傳輸 $a 多層石墨烯透明電極 $a 氮化銦鎵/氮化鎵量子井發光二極體
610 # 1 $a InGaN/GaN MQW epilayers LEDs $a Response Time $a Carrier Transport $a Multilayer graphene transparent electrodes $a InGaN/GaN MQW LEDs
681 $a 008M/0019 $b 423203 1018 $v 2007年版
700 1 $a 王 $b 盈翔 $4 撰 $3 799080
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 應用物理學系碩士班 $3 353956
801 0 $a tw $b NUK $c 20201110 $g CCR
856 7 # $u https://hdl.handle.net/11296/utvzf6 $z 電子資源 $2 http