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奈米大氣通道閘共面場發射元件之特性研究 = Characteristic...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

奈米大氣通道閘共面場發射元件之特性研究 = Characteristics of Nanoscale Air-channel Field Emission Devices with Coplanar Gates

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Characteristics of Nanoscale Air-channel Field Emission Devices with Coplanar Gates
作者:	鮑柏亨,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2019[民108]
面頁冊數:	59葉部分彩圖，表格 : 30公分;
標題:	真空通道電晶體
標題:	Vacuum-channel Transistor
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/5agp8e
附註:	108年10月31日公開
附註:	參考書目: 葉49-51

奈米大氣通道閘共面場發射元件之特性研究 = Characteristics of Nanoscale Air-channel Field Emission Devices with Coplanar Gates
鮑, 柏亨

奈米大氣通道閘共面場發射元件之特性研究 = Characteristics of Nanoscale Air-channel Field Emission Devices with Coplanar Gates / 鮑柏亨撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2019[民108]. - 59葉 ; 部分彩圖，表格 ; 30公分.
108年10月31日公開參考書目: 葉49-51.
真空通道電晶體Vacuum-channel Transistor

奈米大氣通道閘共面場發射元件之特性研究 = Characteristics of Nanoscale Air-channel Field Emission Devices with Coplanar Gates
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314 $a 指導教授: 張文騰博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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