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功函數金屬厚度調變對N型多重鰭數鰭式場效電晶體之元件特性和可靠度研究 ...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

功函數金屬厚度調變對N型多重鰭數鰭式場效電晶體之元件特性和可靠度研究 = The Device Performance and Reliability Study on N-type Multi-Fin FinFET Structure by Adopting Metal Gate Multi Work Function Thickness Engineering

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	The Device Performance and Reliability Study on N-type Multi-Fin FinFET Structure by Adopting Metal Gate Multi Work Function Thickness Engineering
作者:	林文欽,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2019[民108]
面頁冊數:	15, 85葉圖 : 30公分;
標題:	鰭式場效電晶體
標題:	FinFET
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/7nt5yn
附註:	113年10月1日公開
附註:	參考書目: 葉83-85

功函數金屬厚度調變對N型多重鰭數鰭式場效電晶體之元件特性和可靠度研究 = The Device Performance and Reliability Study on N-type Multi-Fin FinFET Structure by Adopting Metal Gate Multi Work Function Thickness Engineering
林, 文欽

功函數金屬厚度調變對N型多重鰭數鰭式場效電晶體之元件特性和可靠度研究 = The Device Performance and Reliability Study on N-type Multi-Fin FinFET Structure by Adopting Metal Gate Multi Work Function Thickness Engineering / 林文欽撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2019[民108]. - 15, 85葉 ; 圖 ; 30公分.
113年10月1日公開參考書目: 葉83-85.
鰭式場效電晶體FinFET

功函數金屬厚度調變對N型多重鰭數鰭式場效電晶體之元件特性和可靠度研究 = The Device Performance and Reliability Study on N-type Multi-Fin FinFET Structure by Adopting Metal Gate Multi Work Function Thickness Engineering
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300 $a 參考書目: 葉83-85
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610 # 0 $a 鰭式場效電晶體 $a 熱載子效應 $a 通道長度 $a 多重鰭結構 $a 耦合效應 $a 功函數金屬
610 # 1 $a FinFET $a Hot carrier effect $a Gate length $a Multiple fin structure $a Coupling effect $a Work function metal
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