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多閘極場效電晶體之行為解析模型 及其於低功耗邏輯閘之應用(含三閘極、環繞...
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國立高雄大學電機工程學系碩博士班
多閘極場效電晶體之行為解析模型 及其於低功耗邏輯閘之應用(含三閘極、環繞式與混合式電晶體) = An Analytical Behavior Model for the Multiple-Gate FETs and Their Applications for Low-Power Logic Gates (Including Tri-Gate, Surrounding-Gate and Hybrid Multiple-Gate FETs)
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:
An Analytical Behavior Model for the Multiple-Gate FETs and Their Applications for Low-Power Logic Gates (Including Tri-Gate, Surrounding-Gate and Hybrid Multiple-Gate FETs)
作者:
楊佳琳,
其他團體作者:
國立高雄大學
出版地:
高雄市
出版者:
國立高雄大學;
出版年:
2020[民109]
面頁冊數:
[15],137面圖,表 : 30公分;
標題:
多閘極金氧半場效電晶體
標題:
Multiple-Gate MOSFETs
電子資源:
https://handle.ncl.edu.tw/11296/zhq3r8
附註:
110年5月1日公開
附註:
參考書目:面108-118
多閘極場效電晶體之行為解析模型 及其於低功耗邏輯閘之應用(含三閘極、環繞式與混合式電晶體) = An Analytical Behavior Model for the Multiple-Gate FETs and Their Applications for Low-Power Logic Gates (Including Tri-Gate, Surrounding-Gate and Hybrid Multiple-Gate FETs)
楊, 佳琳
多閘極場效電晶體之行為解析模型 及其於低功耗邏輯閘之應用(含三閘極、環繞式與混合式電晶體)
= An Analytical Behavior Model for the Multiple-Gate FETs and Their Applications for Low-Power Logic Gates (Including Tri-Gate, Surrounding-Gate and Hybrid Multiple-Gate FETs) / 楊佳琳撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2020[民109]. - [15],137面 ; 圖,表 ; 30公分.
110年5月1日公開參考書目:面108-118.
多閘極金氧半場效電晶體Multiple-Gate MOSFETs
多閘極場效電晶體之行為解析模型 及其於低功耗邏輯閘之應用(含三閘極、環繞式與混合式電晶體) = An Analytical Behavior Model for the Multiple-Gate FETs and Their Applications for Low-Power Logic Gates (Including Tri-Gate, Surrounding-Gate and Hybrid Multiple-Gate FETs)
LDR
:01542pam0a2200265 450
001
584869
005
20211103112410.0
010
0
$b
平裝
010
0
$b
精裝
100
$a
20210309y2020 k y0chiy50 b
101
0
$a
eng
$d
eng
$d
chi
102
$a
tw
105
$a
ak am 000yy
200
1
$a
多閘極場效電晶體之行為解析模型 及其於低功耗邏輯閘之應用(含三閘極、環繞式與混合式電晶體)
$d
An Analytical Behavior Model for the Multiple-Gate FETs and Their Applications for Low-Power Logic Gates (Including Tri-Gate, Surrounding-Gate and Hybrid Multiple-Gate FETs)
$z
eng
$f
楊佳琳撰
210
$a
高雄市
$c
國立高雄大學
$d
2020[民109]
215
0
$a
[15],137面
$c
圖,表
$d
30公分
300
$a
110年5月1日公開
300
$a
參考書目:面108-118
314
$a
指導教授:江德光博士
328
$a
碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510
1
$a
An Analytical Behavior Model for the Multiple-Gate FETs and Their Applications for Low-Power Logic Gates (Including Tri-Gate, Surrounding-Gate and Hybrid Multiple-Gate FETs)
$z
eng
610
# 0
$a
多閘極金氧半場效電晶體
$a
混合式多閘極穿隧電晶體
$a
微縮理論
$a
短通道效應
$a
次臨界行為
$a
次臨界邏輯電路
610
# 1
$a
Multiple-Gate MOSFETs
$a
Hybrid multiple-gate tunnel FET
$a
Scaling Theory
$a
Short-Channel Effects
$a
Subthreshold behavior
$a
Subthreshold logic gate
681
$a
008M/0019
$b
542201 4621
$v
2007年版
700
1
$a
楊
$b
佳琳
$4
撰
$3
875650
712
0 2
$a
國立高雄大學
$b
電機工程學系碩博士班
$3
769000
801
0
$a
tw
$b
NUK
$c
20210325
$g
CCR
856
7 #
$u
https://handle.ncl.edu.tw/11296/zhq3r8
$z
電子資源
$2
http
筆 0 讀者評論
全部
博碩士論文區(二樓)
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1
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館藏地
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310002947250
博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 542201 4621 2020
一般使用(Normal)
在架
0
310002947268
博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 542201 4621 2020 c.2
一般使用(Normal)
在架
0
2 筆 • 頁數 1 •
1
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