多閘極場效電晶體之行為解析模型 及其於低功耗邏輯閘之應用(含三閘極、環繞...
國立高雄大學電機工程學系碩博士班

 

  • 多閘極場效電晶體之行為解析模型 及其於低功耗邏輯閘之應用(含三閘極、環繞式與混合式電晶體) = An Analytical Behavior Model for the Multiple-Gate FETs and Their Applications for Low-Power Logic Gates (Including Tri-Gate, Surrounding-Gate and Hybrid Multiple-Gate FETs)
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : 單行本
    並列題名: An Analytical Behavior Model for the Multiple-Gate FETs and Their Applications for Low-Power Logic Gates (Including Tri-Gate, Surrounding-Gate and Hybrid Multiple-Gate FETs)
    作者: 楊佳琳,
    其他團體作者: 國立高雄大學
    出版地: 高雄市
    出版者: 國立高雄大學;
    出版年: 2020[民109]
    面頁冊數: [15],137面圖,表 : 30公分;
    標題: 多閘極金氧半場效電晶體
    標題: Multiple-Gate MOSFETs
    電子資源: https://handle.ncl.edu.tw/11296/zhq3r8
    附註: 110年5月1日公開
    附註: 參考書目:面108-118
館藏
  • 2 筆 • 頁數 1 •
 
310002947250 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 4621 2020 一般使用(Normal) 在架 0
310002947268 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 4621 2020 c.2 一般使用(Normal) 在架 0
  • 2 筆 • 頁數 1 •
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