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有關梯型金氧半場效電晶體次臨界行為與其應用於次邏輯電路之解析模型 = A...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

有關梯型金氧半場效電晶體次臨界行為與其應用於次邏輯電路之解析模型 = Analytical Subthreshold Model of Trapezoid-GateMOSFETs and Its Application for the Evaluation ofSubthreshold Logic Gate

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Analytical Subthreshold Model of Trapezoid-GateMOSFETs and Its Application for the Evaluation ofSubthreshold Logic Gate
作者:	沈威城,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2021[民110]
面頁冊數:	154面圖 : 30公分;
標題:	多閘極金氧半場效電晶體
標題:	Multiple-Gate MOSFETs
電子資源:	https://hdl.handle.net/11296/54v67n
附註:	110年12月1日公開
附註:	參考書目：面145-150

有關梯型金氧半場效電晶體次臨界行為與其應用於次邏輯電路之解析模型 = Analytical Subthreshold Model of Trapezoid-GateMOSFETs and Its Application for the Evaluation ofSubthreshold Logic Gate
沈, 威城

有關梯型金氧半場效電晶體次臨界行為與其應用於次邏輯電路之解析模型 = Analytical Subthreshold Model of Trapezoid-GateMOSFETs and Its Application for the Evaluation ofSubthreshold Logic Gate / 沈威城撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2021[民110]. - 154面 ; 圖 ; 30公分.
110年12月1日公開參考書目：面145-150.
多閘極金氧半場效電晶體Multiple-Gate MOSFETs

有關梯型金氧半場效電晶體次臨界行為與其應用於次邏輯電路之解析模型 = Analytical Subthreshold Model of Trapezoid-GateMOSFETs and Its Application for the Evaluation ofSubthreshold Logic Gate
LDR:01321pam0a2200265 450 001 600937
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010 0 $b 精裝
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314 $a 指導教授：江德光博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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610 # 0 $a 多閘極金氧半場效電晶體 $a 微縮理論 $a 短通道效應 $a 次臨界行為 $a 次臨界邏輯電路
610 # 1 $a Multiple-Gate MOSFETs $a Scaling Theory $a Short-Channel Effects $a Subthreshold behavior $a Subthreshold Logic circuit
681 $a 008M/0019 $b 542201 3454 $v 2007年版
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