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氟離子電漿處理對於鐵電場效電晶體之電性分析及可靠度研究 = The De...
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國立高雄大學電機工程學系碩博士班
氟離子電漿處理對於鐵電場效電晶體之電性分析及可靠度研究 = The Device Performance and Reliability of FeFET with post Fluorine Plasma Treatment
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:
The Device Performance and Reliability of FeFET with post Fluorine Plasma Treatment
作者:
黃柏融,
其他團體作者:
國立高雄大學
出版地:
高雄市
出版者:
國立高雄大學;
出版年:
2021[民110]
面頁冊數:
xii,70葉圖,表 : 30公分;
標題:
鐵電場效電晶體
標題:
FeFET
電子資源:
https://hdl.handle.net/11296/hgf74n
附註:
110年12月1日公開
附註:
參考書目:葉53-58
氟離子電漿處理對於鐵電場效電晶體之電性分析及可靠度研究 = The Device Performance and Reliability of FeFET with post Fluorine Plasma Treatment
黃, 柏融
氟離子電漿處理對於鐵電場效電晶體之電性分析及可靠度研究
= The Device Performance and Reliability of FeFET with post Fluorine Plasma Treatment / 黃柏融撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2021[民110]. - xii,70葉 ; 圖,表 ; 30公分.
110年12月1日公開參考書目:葉53-58.
鐵電場效電晶體FeFET
氟離子電漿處理對於鐵電場效電晶體之電性分析及可靠度研究 = The Device Performance and Reliability of FeFET with post Fluorine Plasma Treatment
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30公分
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110年12月1日公開
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參考書目:葉53-58
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指導教授:陳春僥博士,葉文冠博士
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碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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The Device Performance and Reliability of FeFET with post Fluorine Plasma Treatment
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鐵電場效電晶體
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氧化鉿鋯
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氟離子電漿
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負偏壓溫度不穩定性
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熱載子注入
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介面層缺陷
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FeFET
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HZO
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Negative-bias temperature instability
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Hot carrier injection
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博碩士論文區(二樓)
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310002986118
博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 542201 4441.5 2021
一般使用(Normal)
在架
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310002986126
博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 542201 4441.5 2021 c.2
一般使用(Normal)
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2 筆 • 頁數 1 •
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https://hdl.handle.net/11296/hgf74n
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