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閘極堆疊式功函數金屬鰭式場效電晶體的電性特性 = Characteris...

國立高雄大學

閘極堆疊式功函數金屬鰭式場效電晶體的電性特性 = Characteristics of work function metals stack on gate of FinFETs

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Characteristics of work function metals stack on gate of FinFETs
作者:	李孟禧,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2021[民110]
面頁冊數:	vii,57葉圖，表 : 30公分;
標題:	堆疊式金屬閘極鰭式電晶體
標題:	metal gate FinFET
電子資源:	https://hdl.handle.net/11296/rnsj7e
附註:	110年12月1日公開
附註:	參考書目：葉47-49

閘極堆疊式功函數金屬鰭式場效電晶體的電性特性 = Characteristics of work function metals stack on gate of FinFETs
李, 孟禧

閘極堆疊式功函數金屬鰭式場效電晶體的電性特性 = Characteristics of work function metals stack on gate of FinFETs / 李孟禧撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2021[民110]. - vii,57葉 ; 圖，表 ; 30公分.
110年12月1日公開參考書目：葉47-49.
堆疊式金屬閘極鰭式電晶體metal gate FinFET

閘極堆疊式功函數金屬鰭式場效電晶體的電性特性 = Characteristics of work function metals stack on gate of FinFETs
LDR:01155pam0a2200265 450 001 601033
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200 1 $a 閘極堆疊式功函數金屬鰭式場效電晶體的電性特性 $d Characteristics of work function metals stack on gate of FinFETs $z eng $f 李孟禧撰
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300 $a 110年12月1日公開
300 $a 參考書目：葉47-49
314 $a 指導教授：張文騰博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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610 # 0 $a 堆疊式金屬閘極鰭式電晶體 $a 閘極功函數 $a 漏致勢壘降低效應 $a 臨界電壓
610 # 1 $a metal gate FinFET $a Gate workfunction $a drain induced barrier lowering $a threshold voltage
681 $a 008M/0019 $b 542201 4013.1 $v 2007年版
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