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有關雙材質四閘極型金氧半場效電晶體次臨界行為與其應用於次臨界邏輯電路之解...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

有關雙材質四閘極型金氧半場效電晶體次臨界行為與其應用於次臨界邏輯電路之解析模型 = Analytical Subthreshold Model of Dual material Quadruple-Gate MOSFETs and ItsApplication for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Analytical Subthreshold Model of Dual material Quadruple-Gate MOSFETs and ItsApplication for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate
作者:	馮寰宇,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2022[民111]
面頁冊數:	xi,121面圖 : 30公分;
標題:	微縮理論
標題:	Scaling Theory
電子資源:	https://hdl.handle.net/11296/4asmed
附註:	111年12月1日公開
附註:	參考書目：面113-121

有關雙材質四閘極型金氧半場效電晶體次臨界行為與其應用於次臨界邏輯電路之解析模型 = Analytical Subthreshold Model of Dual material Quadruple-Gate MOSFETs and ItsApplication for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate
馮, 寰宇

有關雙材質四閘極型金氧半場效電晶體次臨界行為與其應用於次臨界邏輯電路之解析模型 = Analytical Subthreshold Model of Dual material Quadruple-Gate MOSFETs and ItsApplication for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate / 馮寰宇撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2022[民111]. - xi,121面 ; 圖 ; 30公分.
111年12月1日公開參考書目：面113-121.
微縮理論Scaling Theory

有關雙材質四閘極型金氧半場效電晶體次臨界行為與其應用於次臨界邏輯電路之解析模型 = Analytical Subthreshold Model of Dual material Quadruple-Gate MOSFETs and ItsApplication for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate
LDR:01369pam0a2200265 450 001 617211
005 20230106102118.0
010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
100 $a 20221021y2022 k y0chiy50 b
101 0 $a eng $d chi $d eng
102 $a tw
105 $a a am 000yy
200 1 $a 有關雙材質四閘極型金氧半場效電晶體次臨界行為與其應用於次臨界邏輯電路之解析模型 $d Analytical Subthreshold Model of Dual material Quadruple-Gate MOSFETs and ItsApplication for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate $z eng $f 馮寰宇撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2022[民111]
215 0 $a xi,121面 $c 圖 $d 30公分
300 $a 111年12月1日公開
300 $a 參考書目：面113-121
314 $a 指導教授：江德光博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Analytical Subthreshold Model of Dual material Quadruple-Gate MOSFETs and ItsApplication for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate $z eng
610 # 0 $a 微縮理論 $a 多閘極金氧半場效電晶體 $a 短通道效應 $a 次臨界行為 $a 次臨界邏輯電路
610 # 1 $a Scaling Theory $a Multiple-Gate MOSFETs $a Short-Channel Effects $a Subthreshold behavior $a Subthreshold Logic circuit
681 $a 008M/0019 $b 542201 3133 $v 2007年版
700 1 $a 馮 $b 寰宇 $4 撰 $3 916712
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩博士班 $3 769000
801 0 $a tw $b NUK $c 20221017 $g CCR
856 4 # $u https://hdl.handle.net/11296/4asmed $z 電子資源