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氧化鎵阻障層應用於鉺摻雜氧化鋅鎂二極體研究 = Study of Ga2...
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國立高雄大學電機工程學系碩博士班
氧化鎵阻障層應用於鉺摻雜氧化鋅鎂二極體研究 = Study of Ga2O3 Barrier Layer on Er Doped MgZnO Diode
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:
Study of Ga2O3 Barrier Layer on Er Doped MgZnO Diode
作者:
應世偉,
其他團體作者:
國立高雄大學
出版地:
高雄市
出版者:
國立高雄大學;
出版年:
2022[民111]
面頁冊數:
x,65葉圖,表 : 30公分;
標題:
氧化鎵
標題:
Ga2O3
電子資源:
https://hdl.handle.net/11296/676pbs
附註:
111年12月1日公開
附註:
參考書目:葉62-65
氧化鎵阻障層應用於鉺摻雜氧化鋅鎂二極體研究 = Study of Ga2O3 Barrier Layer on Er Doped MgZnO Diode
應, 世偉
氧化鎵阻障層應用於鉺摻雜氧化鋅鎂二極體研究
= Study of Ga2O3 Barrier Layer on Er Doped MgZnO Diode / 應世偉撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2022[民111]. - x,65葉 ; 圖,表 ; 30公分.
111年12月1日公開參考書目:葉62-65.
氧化鎵Ga2O3
氧化鎵阻障層應用於鉺摻雜氧化鋅鎂二極體研究 = Study of Ga2O3 Barrier Layer on Er Doped MgZnO Diode
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指導教授:藍文厚博士
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博碩士論文區(二樓)
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2 筆 • 頁數 1 •
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資料類型
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使用類型
借閱狀態
預約狀態
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附件
310003024158
博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 542201 0042.1 2022
一般使用(Normal)
在架
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博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 542201 0042.1 2022 c.2
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https://hdl.handle.net/11296/676pbs
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