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不同HZO厚度應用於P型環繞式閘極場效電晶體經退火後電性分析及可靠度分析...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

不同HZO厚度應用於P型環繞式閘極場效電晶體經退火後電性分析及可靠度分析 = The Impact of Annealed HZO with Different Thickness on Device Performance and Reliability of P-type GAA FETs

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	The Impact of Annealed HZO with Different Thickness on Device Performance and Reliability of P-type GAA FETs
作者:	孔誌豪,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2022[民111]
面頁冊數:	[16]，73葉圖，表 : 30公分;
標題:	閘極環繞
標題:	FeFET
電子資源:	https://hdl.handle.net/11296/3veayq
附註:	111年12月1日公開
附註:	參考書目：葉68-73

不同HZO厚度應用於P型環繞式閘極場效電晶體經退火後電性分析及可靠度分析 = The Impact of Annealed HZO with Different Thickness on Device Performance and Reliability of P-type GAA FETs
孔, 誌豪

不同HZO厚度應用於P型環繞式閘極場效電晶體經退火後電性分析及可靠度分析 = The Impact of Annealed HZO with Different Thickness on Device Performance and Reliability of P-type GAA FETs / 孔誌豪撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2022[民111]. - [16]，73葉 ; 圖，表 ; 30公分.
111年12月1日公開參考書目：葉68-73.
閘極環繞FeFET

不同HZO厚度應用於P型環繞式閘極場效電晶體經退火後電性分析及可靠度分析 = The Impact of Annealed HZO with Different Thickness on Device Performance and Reliability of P-type GAA FETs
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210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2022[民111]
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300 $a 參考書目：葉68-73
314 $a 指導教授：李耀仁博士，陳春僥博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a The Impact of Annealed HZO with Different Thickness on Device Performance and Reliability of P-type GAA FETs $z eng
610 0 $a 閘極環繞 $a 雷射退火 $a 微波退火 $a 臨界電壓 $a 鐵電場效電晶體 $a 負偏壓溫度不穩定性 $a 金屬後退火
610 1 $a FeFET $a NBTI $a PMA $a Gate All-Around $a Laser Annealing $a Microwave Annealing $a Threshold Voltage
681 $a 008M/0019 $b 542201 1200 $v 2007年版
700 1 $a 孔 $b 誌豪 $4 撰 $3 916787
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩博士班 $3 769000
801 0 $a tw $b NUK $c 20221017 $g CCR
856 4 $u https://hdl.handle.net/11296/3veayq $z 電子資源