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N型負電容場效電晶體經退火後於不同閘極介電層厚度之電性分析及可靠度分析...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

N型負電容場效電晶體經退火後於不同閘極介電層厚度之電性分析及可靠度分析 = Study on Reliability and Performance of Annealed N-type NC-FET with Different Thickness Gate Dielectrics

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Study on Reliability and Performance of Annealed N-type NC-FET with Different Thickness Gate Dielectrics
作者:	沈承浩,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2022[民111]
面頁冊數:	[17]，86葉圖，表 : 30公分;
標題:	負電容場效電晶體
標題:	NC-FET
電子資源:	https://hdl.handle.net/11296/7z523k
附註:	111年12月1日公開
附註:	參考書目：葉82-86

N型負電容場效電晶體經退火後於不同閘極介電層厚度之電性分析及可靠度分析 = Study on Reliability and Performance of Annealed N-type NC-FET with Different Thickness Gate Dielectrics
沈, 承浩

N型負電容場效電晶體經退火後於不同閘極介電層厚度之電性分析及可靠度分析 = Study on Reliability and Performance of Annealed N-type NC-FET with Different Thickness Gate Dielectrics / 沈承浩撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2022[民111]. - [17]，86葉 ; 圖，表 ; 30公分.
111年12月1日公開參考書目：葉82-86.
負電容場效電晶體NC-FET

N型負電容場效電晶體經退火後於不同閘極介電層厚度之電性分析及可靠度分析 = Study on Reliability and Performance of Annealed N-type NC-FET with Different Thickness Gate Dielectrics
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300 $a 參考書目：葉82-86
314 $a 指導教授：李耀仁博士、陳春僥博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Study on Reliability and Performance of Annealed N-type NC-FET with Different Thickness Gate Dielectrics $z eng
610 0 $a 負電容場效電晶體 $a 閘極環繞 $a 雷射退火 $a 微波退火 $a 金屬後退火 $a 正偏壓溫度不穩定性 $a 氧化鉿鋯
610 1 $a NC-FET $a GAA $a Laser annealing $a Microwave annealing $a PMA $a PBTI $a HZO
681 $a 008M/0019 $b 542201 3413 $v 2007年版
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856 4 $u https://hdl.handle.net/11296/7z523k $z 電子資源