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鐵電薄膜應用N型奈米線電晶體 = Applications of Fer...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

鐵電薄膜應用N型奈米線電晶體 = Applications of Ferroelectric Thin Film for the Fabrication of N-type Gate-All-Around FETs

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Applications of Ferroelectric Thin Film for the Fabrication of N-type Gate-All-Around FETs
Author:	廖建淮,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2022[民111]
Description:	ix,36葉圖，表 : 30公分;
Subject:	環繞式閘極電晶體
Subject:	Gate-All-Around
Online resource:	https://hdl.handle.net/11296/p7txgs
Notes:	111年12月1日公開
Notes:	參考書目：葉35-36

鐵電薄膜應用N型奈米線電晶體 = Applications of Ferroelectric Thin Film for the Fabrication of N-type Gate-All-Around FETs
廖, 建淮

鐵電薄膜應用N型奈米線電晶體 = Applications of Ferroelectric Thin Film for the Fabrication of N-type Gate-All-Around FETs / 廖建淮撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2022[民111]. - ix,36葉 ; 圖，表 ; 30公分.
111年12月1日公開參考書目：葉35-36.
環繞式閘極電晶體Gate-All-Around

鐵電薄膜應用N型奈米線電晶體 = Applications of Ferroelectric Thin Film for the Fabrication of N-type Gate-All-Around FETs
LDR:01190pam0a2200265 450 001 617364
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010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
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200 1 $a 鐵電薄膜應用N型奈米線電晶體 $d Applications of Ferroelectric Thin Film for the Fabrication of N-type Gate-All-Around FETs $z eng $f 廖建淮撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2022[民111]
215 0 $a ix,36葉 $c 圖，表 $d 30公分
300 $a 111年12月1日公開
300 $a 參考書目：葉35-36
314 $a 指導教授：李耀仁博士，陳春僥博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Applications of Ferroelectric Thin Film for the Fabrication of N-type Gate-All-Around FETs $z eng
610 0 $a 環繞式閘極電晶體 $a 氧化鉿鋯 $a 鐵電薄膜電晶體 $a 奈米線電晶體 $a 遲滯反轉
610 1 $a Gate-All-Around $a HZO $a Ferroelectric thin film $a Nanowire $a Counter-clockwise hysteresis
681 $a 008M/0019 $b 542201 0013 $v 2007年版
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712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩博士班 $3 769000
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856 4 $u https://hdl.handle.net/11296/p7txgs $z 電子資源