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有關三閘極金半場效電晶體和三閘極具負交疊通道金氧半場效電晶體之次臨界行為...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

有關三閘極金半場效電晶體和三閘極具負交疊通道金氧半場效電晶體之次臨界行為與其應用於次臨界邏輯電路之解析模型 = Analytical Subthreshold Behavior Model of Triple-Gate MESFETs and Triple-Gate Underlap MOSFETs and Its Application for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Analytical Subthreshold Behavior Model of Triple-Gate MESFETs and Triple-Gate Underlap MOSFETs and Its Application for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate
作者:	鍾侑廷,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2023[民112]
面頁冊數:	x,100葉圖 : 30公分;
標題:	次臨界行為
標題:	Subthreshold behavior
電子資源:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/75t5m3
附註:	112年12月1日公開
附註:	參考書目: 葉97-98

有關三閘極金半場效電晶體和三閘極具負交疊通道金氧半場效電晶體之次臨界行為與其應用於次臨界邏輯電路之解析模型 = Analytical Subthreshold Behavior Model of Triple-Gate MESFETs and Triple-Gate Underlap MOSFETs and Its Application for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate
鍾, 侑廷

有關三閘極金半場效電晶體和三閘極具負交疊通道金氧半場效電晶體之次臨界行為與其應用於次臨界邏輯電路之解析模型 = Analytical Subthreshold Behavior Model of Triple-Gate MESFETs and Triple-Gate Underlap MOSFETs and Its Application for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate / 鍾侑廷撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2023[民112]. - x,100葉 ; 圖 ; 30公分.
112年12月1日公開參考書目: 葉97-98.
次臨界行為Subthreshold behavior

有關三閘極金半場效電晶體和三閘極具負交疊通道金氧半場效電晶體之次臨界行為與其應用於次臨界邏輯電路之解析模型 = Analytical Subthreshold Behavior Model of Triple-Gate MESFETs and Triple-Gate Underlap MOSFETs and Its Application for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate
LDR:01542pam0a2200277 450 001 637242
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010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
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200 1 $a 有關三閘極金半場效電晶體和三閘極具負交疊通道金氧半場效電晶體之次臨界行為與其應用於次臨界邏輯電路之解析模型 $d Analytical Subthreshold Behavior Model of Triple-Gate MESFETs and Triple-Gate Underlap MOSFETs and Its Application for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate $z eng $f 鍾侑廷撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2023[民112]
215 0 $a x,100葉 $c 圖 $d 30公分
300 $a 112年12月1日公開
300 $a 參考書目: 葉97-98
314 $a 指導教授: 江德光博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Analytical Subthreshold Behavior Model of Triple-Gate MESFETs and Triple-Gate Underlap MOSFETs and Its Application for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate $z eng
610 # 0 $a 次臨界行為 $a 雜訊邊際 $a 短通道效應 $a 電晶體強度平衡 $a 金屬-半導體場效電晶體 $a 負交疊通道金屬-氧化層半場效電晶體
610 # 1 $a Subthreshold behavior $a Noise margin $a Short-channel effects $a Transistor strength balance $a MESFET $a Underlap MOSFET
681 $a 008M/0019 $b 542201 8221 $v 2007年版
700 1 $a 鍾 $b 侑廷 $4 撰 $3 943629
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩博士班 $3 769000
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856 4 # $u https://handle.ncl.edu.tw/11296/75t5m3 $z 電子資源