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無接面環繞式閘極電晶體在不同摻雜濃度中的特性 = Characteris...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

無接面環繞式閘極電晶體在不同摻雜濃度中的特性 = Characteristics of Junctionless GAA Transistors for the different Doping Concentration

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Characteristics of Junctionless GAA Transistors for the different Doping Concentration
作者:	林琬庭,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2023[民112]
面頁冊數:	ix,45葉圖 : 30公分;
標題:	摻雜濃度
標題:	Doping concentration
電子資源:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/umxwkx
附註:	112年12月1日公開
附註:	參考書目: 葉43-45

無接面環繞式閘極電晶體在不同摻雜濃度中的特性 = Characteristics of Junctionless GAA Transistors for the different Doping Concentration
林, 琬庭

無接面環繞式閘極電晶體在不同摻雜濃度中的特性 = Characteristics of Junctionless GAA Transistors for the different Doping Concentration / 林琬庭撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2023[民112]. - ix,45葉 ; 圖 ; 30公分.
112年12月1日公開參考書目: 葉43-45.
摻雜濃度Doping concentration

無接面環繞式閘極電晶體在不同摻雜濃度中的特性 = Characteristics of Junctionless GAA Transistors for the different Doping Concentration
LDR:01258pam0a2200277 450 001 637249
005 20240312154334.0
010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
099 $a 111NUK00442010
100 $a 20230915y2023 k y0chiy50 e
101 0 $a chi $d chi $d eng
102 $a tw
105 $a a am 000yy
200 1 $a 無接面環繞式閘極電晶體在不同摻雜濃度中的特性 $d Characteristics of Junctionless GAA Transistors for the different Doping Concentration $z eng $f 林琬庭撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2023[民112]
215 0 $a ix,45葉 $c 圖 $d 30公分
300 $a 112年12月1日公開
300 $a 參考書目: 葉43-45
314 $a 指導教授: 張文騰博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Characteristics of Junctionless GAA Transistors for the different Doping Concentration $z eng
610 # 0 $a 摻雜濃度 $a 環繞式閘極電晶體 $a 臨界電壓 $a 轉移電導 $a 次臨界擺幅
610 # 1 $a Doping concentration $a Gate-All-Around transistor $a Threshold voltage $a Transconductance $a Subthreshold swing $a Drain Induced Barrier Lowering
681 $a 008M/0019 $b 542201 4410.1 $v 2007年版
700 1 $a 林 $b 琬庭 $4 撰 $3 943635
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩博士班 $3 769000
801 0 $a tw $b NUK $c 20230915 $g CCR
856 4 # $u https://handle.ncl.edu.tw/11296/umxwkx $z 電子資源