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不同功函數之p-FinFET的基本電性及在HCI、NBTI下的電場和電流...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

不同功函數之p-FinFET的基本電性及在HCI、NBTI下的電場和電流密度分析 = Analysis of Basic Electrical Characteristics and Electric Field and Current Density under HCI and NBTI in p-FinFET with Different Work Functions

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Analysis of Basic Electrical Characteristics and Electric Field and Current Density under HCI and NBTI in p-FinFET with Different Work Functions
作者:	李士杰,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2023[民112]
面頁冊數:	ix,57葉圖 : 30公分;
標題:	堆疊式金屬閘極鰭式電晶體
標題:	FinFET
電子資源:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/4588r3
附註:	112年12月1日公開
附註:	參考書目: 葉55-57

不同功函數之p-FinFET的基本電性及在HCI、NBTI下的電場和電流密度分析 = Analysis of Basic Electrical Characteristics and Electric Field and Current Density under HCI and NBTI in p-FinFET with Different Work Functions
李, 士杰

不同功函數之p-FinFET的基本電性及在HCI、NBTI下的電場和電流密度分析 = Analysis of Basic Electrical Characteristics and Electric Field and Current Density under HCI and NBTI in p-FinFET with Different Work Functions / 李士杰撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2023[民112]. - ix,57葉 ; 圖 ; 30公分.
112年12月1日公開參考書目: 葉55-57.
堆疊式金屬閘極鰭式電晶體FinFET

不同功函數之p-FinFET的基本電性及在HCI、NBTI下的電場和電流密度分析 = Analysis of Basic Electrical Characteristics and Electric Field and Current Density under HCI and NBTI in p-FinFET with Different Work Functions
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