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雙材質四閘極金氧半場效電晶體及四閘極金氧半場效電晶體彈道效應之次臨界行為...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

雙材質四閘極金氧半場效電晶體及四閘極金氧半場效電晶體彈道效應之次臨界行為研究與其次臨界邏輯電路之應用 = Analytical Subthreshold Behavior of Dual-Material Quadruple-Gate MOSFETs and Quadruple-Gate MOSFETs with Ballistic Effects and Its Applications in Subthreshold Logic Circuits

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Analytical Subthreshold Behavior of Dual-Material Quadruple-Gate MOSFETs and Quadruple-Gate MOSFETs with Ballistic Effects and Its Applications in Subthreshold Logic Circuits
作者:	陳愷彬,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2024[民113]
面頁冊數:	xi,127面圖 : 30公分;
標題:	彈道效應
標題:	ballistic effects
電子資源:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/vx7gxj
附註:	113年11月15日公開
附註:	參考書目: 面122-125

雙材質四閘極金氧半場效電晶體及四閘極金氧半場效電晶體彈道效應之次臨界行為研究與其次臨界邏輯電路之應用 = Analytical Subthreshold Behavior of Dual-Material Quadruple-Gate MOSFETs and Quadruple-Gate MOSFETs with Ballistic Effects and Its Applications in Subthreshold Logic Circuits
陳, 愷彬

雙材質四閘極金氧半場效電晶體及四閘極金氧半場效電晶體彈道效應之次臨界行為研究與其次臨界邏輯電路之應用 = Analytical Subthreshold Behavior of Dual-Material Quadruple-Gate MOSFETs and Quadruple-Gate MOSFETs with Ballistic Effects and Its Applications in Subthreshold Logic Circuits / 陳愷彬撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2024[民113]. - xi,127面 ; 圖 ; 30公分.
113年11月15日公開參考書目: 面122-125.
彈道效應ballistic effects

雙材質四閘極金氧半場效電晶體及四閘極金氧半場效電晶體彈道效應之次臨界行為研究與其次臨界邏輯電路之應用 = Analytical Subthreshold Behavior of Dual-Material Quadruple-Gate MOSFETs and Quadruple-Gate MOSFETs with Ballistic Effects and Its Applications in Subthreshold Logic Circuits
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200 1 $a 雙材質四閘極金氧半場效電晶體及四閘極金氧半場效電晶體彈道效應之次臨界行為研究與其次臨界邏輯電路之應用 $d Analytical Subthreshold Behavior of Dual-Material Quadruple-Gate MOSFETs and Quadruple-Gate MOSFETs with Ballistic Effects and Its Applications in Subthreshold Logic Circuits $z eng $f 陳愷彬撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2024[民113]
215 0 $a xi,127面 $c 圖 $d 30公分
300 $a 113年11月15日公開
300 $a 參考書目: 面122-125
314 $a 指導教授: 江德光博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Analytical Subthreshold Behavior of Dual-Material Quadruple-Gate MOSFETs and Quadruple-Gate MOSFETs with Ballistic Effects and Its Applications in Subthreshold Logic Circuits $z eng
610 0 $a 彈道效應 $a 熱載子效應 $a 多閘極金氧半場效電晶體 $a 短通道效應 $a 次臨界行為 $a 漂移擴散模型
610 1 $a ballistic effects $a hot carrier effects $a multi-gate MOSFETs $a short-channel effects $a Subthreshold behavior $a drift-diffusion model
681 $a 008M/0019 $b 542201 7594 $v 2007年版
700 1 $a 陳 $b 愷彬 $4 撰 $3 968645
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩博士班 $3 769000
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856 4 $u https://handle.ncl.edu.tw/11296/vx7gxj $z 電子資源