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新型磷化銦鎵/砷化鎵/鉍砷化鎵與磷化銦/砷化銦鎵異質結構電晶體之電性研究...
吳宜蓁

 

  • 新型磷化銦鎵/砷化鎵/鉍砷化鎵與磷化銦/砷化銦鎵異質結構電晶體之電性研究 = Investigation of Electrical Properties in Novel InGaP/GaAs/GaAsBi and InP/InGaAs Heterostructure Transistors
  • Record Type: Language materials, printed : monographic
    Paralel Title: Investigation of Electrical Properties in Novel InGaP/GaAs/GaAsBi and InP/InGaAs Heterostructure Transistors
    Author: 吳宜蓁,
    Secondary Intellectual Responsibility: 國立高雄大學
    Place of Publication: 高雄市
    Published: 國立高雄大學;
    Year of Publication: 2017[民106]
    Description: 90葉圖,表 : 30公分;
    Subject: 磷化銦鎵/砷化鎵/鉍砷化鎵
    Subject: InGaP/GaAs/GaAsBi
    Online resource: http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/89030355659517462565
    Notes: 106年10月25日公開
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310002761198 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 2634 2017 一般使用(Normal) On shelf 0
310002761206 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 2634 2017 c.2 一般使用(Normal) On shelf 0
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