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新型磷化銦鎵/砷化鎵/鉍砷化鎵與磷化銦/砷化銦鎵異質結構電晶體之電性研究...
~
吳宜蓁
新型磷化銦鎵/砷化鎵/鉍砷化鎵與磷化銦/砷化銦鎵異質結構電晶體之電性研究 = Investigation of Electrical Properties in Novel InGaP/GaAs/GaAsBi and InP/InGaAs Heterostructure Transistors
Record Type:
Language materials, printed : monographic
Paralel Title:
Investigation of Electrical Properties in Novel InGaP/GaAs/GaAsBi and InP/InGaAs Heterostructure Transistors
Author:
吳宜蓁,
Secondary Intellectual Responsibility:
國立高雄大學
Place of Publication:
高雄市
Published:
國立高雄大學;
Year of Publication:
2017[民106]
Description:
90葉圖,表 : 30公分;
Subject:
磷化銦鎵/砷化鎵/鉍砷化鎵
Subject:
InGaP/GaAs/GaAsBi
Online resource:
http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/89030355659517462565
Notes:
106年10月25日公開
新型磷化銦鎵/砷化鎵/鉍砷化鎵與磷化銦/砷化銦鎵異質結構電晶體之電性研究 = Investigation of Electrical Properties in Novel InGaP/GaAs/GaAsBi and InP/InGaAs Heterostructure Transistors
吳, 宜蓁
新型磷化銦鎵/砷化鎵/鉍砷化鎵與磷化銦/砷化銦鎵異質結構電晶體之電性研究
= Investigation of Electrical Properties in Novel InGaP/GaAs/GaAsBi and InP/InGaAs Heterostructure Transistors / 吳宜蓁撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2017[民106]. - 90葉 ; 圖,表 ; 30公分.
106年10月25日公開.
參考書目: 葉68-90.
磷化銦鎵/砷化鎵/鉍砷化鎵InGaP/GaAs/GaAsBi
新型磷化銦鎵/砷化鎵/鉍砷化鎵與磷化銦/砷化銦鎵異質結構電晶體之電性研究 = Investigation of Electrical Properties in Novel InGaP/GaAs/GaAsBi and InP/InGaAs Heterostructure Transistors
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新型磷化銦鎵/砷化鎵/鉍砷化鎵與磷化銦/砷化銦鎵異質結構電晶體之電性研究
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106年10月25日公開
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指導教授: 江德光教授, 蔡榮輝教授
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參考書目: 葉68-90
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博士論文--國立高雄大學電機工程學系博士班
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Investigation of Electrical Properties in Novel InGaP/GaAs/GaAsBi and InP/InGaAs Heterostructure Transistors
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博碩士論文區(二樓)
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博碩士論文區(二樓)
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博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 542201 2634 2017 c.2
一般使用(Normal)
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http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/89030355659517462565
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