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不同HZO厚度應用於P型環繞式閘極場效電晶體經退火後電性分析及可靠度分析...
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國立高雄大學電機工程學系碩博士班
不同HZO厚度應用於P型環繞式閘極場效電晶體經退火後電性分析及可靠度分析 = The Impact of Annealed HZO with Different Thickness on Device Performance and Reliability of P-type GAA FETs
Record Type:
Language materials, printed : monographic
Paralel Title:
The Impact of Annealed HZO with Different Thickness on Device Performance and Reliability of P-type GAA FETs
Author:
孔誌豪,
Secondary Intellectual Responsibility:
國立高雄大學
Place of Publication:
高雄市
Published:
國立高雄大學;
Year of Publication:
2022[民111]
Description:
[16],73葉圖,表 : 30公分;
Subject:
閘極環繞
Subject:
FeFET
Online resource:
https://hdl.handle.net/11296/3veayq
Notes:
111年12月1日公開
Notes:
參考書目:葉68-73
不同HZO厚度應用於P型環繞式閘極場效電晶體經退火後電性分析及可靠度分析 = The Impact of Annealed HZO with Different Thickness on Device Performance and Reliability of P-type GAA FETs
孔, 誌豪
不同HZO厚度應用於P型環繞式閘極場效電晶體經退火後電性分析及可靠度分析
= The Impact of Annealed HZO with Different Thickness on Device Performance and Reliability of P-type GAA FETs / 孔誌豪撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2022[民111]. - [16],73葉 ; 圖,表 ; 30公分.
111年12月1日公開參考書目:葉68-73.
閘極環繞FeFET
不同HZO厚度應用於P型環繞式閘極場效電晶體經退火後電性分析及可靠度分析 = The Impact of Annealed HZO with Different Thickness on Device Performance and Reliability of P-type GAA FETs
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不同HZO厚度應用於P型環繞式閘極場效電晶體經退火後電性分析及可靠度分析
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The Impact of Annealed HZO with Different Thickness on Device Performance and Reliability of P-type GAA FETs
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111年12月1日公開
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參考書目:葉68-73
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指導教授:李耀仁博士,陳春僥博士
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碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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The Impact of Annealed HZO with Different Thickness on Device Performance and Reliability of P-type GAA FETs
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閘極環繞
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雷射退火
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微波退火
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臨界電壓
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鐵電場效電晶體
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負偏壓溫度不穩定性
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金屬後退火
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FeFET
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電子資源
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博碩士論文區(二樓)
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310003023374
博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 542201 1200 2022
一般使用(Normal)
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博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 542201 1200 2022 c.2
一般使用(Normal)
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https://hdl.handle.net/11296/3veayq
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