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以有機金屬化學氣相沈積法在矽基板上生長砷化鎵磊晶膜 = GaAs on ...

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林彥甫

以有機金屬化學氣相沈積法在矽基板上生長砷化鎵磊晶膜 = GaAs on Si epitaxial growth by mocvd

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	GaAs on Si epitaxial growth by mocvd
Author:	林彥甫,
Place of Publication:	高雄市
Published:	撰者;
Year of Publication:	1988[民77]
Description:	[27], 78面圖 : 30公分;
Notes:	指導教授：李明逵
Notes:	參考書目：面75-78

以有機金屬化學氣相沈積法在矽基板上生長砷化鎵磊晶膜 = GaAs on Si epitaxial growth by mocvd
林, 彥甫

以有機金屬化學氣相沈積法在矽基板上生長砷化鎵磊晶膜 = GaAs on Si epitaxial growth by mocvd / 林彥甫撰 - 高雄市 : 撰者, 1988[民77]. - [27], 78面 ; 圖 ; 30公分.
指導教授：李明逵參考書目：面75-78.

以有機金屬化學氣相沈積法在矽基板上生長砷化鎵磊晶膜 = GaAs on Si epitaxial growth by mocvd
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210 $a 高雄市 $d 1988[民77] $c 撰者
215 0 $a [27], 78面 $c 圖 $d 30公分
300 $a 指導教授：李明逵
300 $a 參考書目：面75-78
328 $a 碩士論文--國立中山大學電機工程研究所
510 1 $a GaAs on Si epitaxial growth by mocvd $z eng
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No. of reservations

310001494874

博碩士論文區(二樓)

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學位論文

008M/0009 542201 4405 1988

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