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快速熱退火及不同鰭寬度的NCFET 之電性分析及HCI可靠度研究 = T...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

快速熱退火及不同鰭寬度的NCFET 之電性分析及HCI可靠度研究 = The Impact of RTA and Different Fin Widths on the Device Performance and Reliability of NCFET

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	The Impact of RTA and Different Fin Widths on the Device Performance and Reliability of NCFET
Author:	方振宇,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2020[民109]
Description:	[8]，65葉圖 : 30公分;
Subject:	負電容場效電晶體
Subject:	NCFET
Online resource:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/p7e72k
Notes:	109年11月18日公開
Notes:	參考書目：葉53-55

快速熱退火及不同鰭寬度的NCFET 之電性分析及HCI可靠度研究 = The Impact of RTA and Different Fin Widths on the Device Performance and Reliability of NCFET
方, 振宇

快速熱退火及不同鰭寬度的NCFET 之電性分析及HCI可靠度研究 = The Impact of RTA and Different Fin Widths on the Device Performance and Reliability of NCFET / 方振宇撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2020[民109]. - [8]，65葉 ; 圖 ; 30公分.
109年11月18日公開參考書目：葉53-55.
負電容場效電晶體NCFET

快速熱退火及不同鰭寬度的NCFET 之電性分析及HCI可靠度研究 = The Impact of RTA and Different Fin Widths on the Device Performance and Reliability of NCFET
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300 $a 參考書目：葉53-55
314 $a 指導教授：葉文冠博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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610 # 0 $a 負電容場效電晶體 $a 快速熱退火
610 # 1 $a NCFET $a Rapid Thermal Annealing
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