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主題
施郁嫻
概要
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(1)底層材料與光阻在下世代微影13.5 nm光區的離子釋氣研究 (2)Al2O3/SiO2中孔材料的製備與特性研究 = (1) Ionic outgassing from underlayer materials and photoresist upon irradiation at 13.5 nm (2) Preparation and characterization of Al2O3-modified SiO2 mesoporous materials
by: 國立高雄大學應用化學系碩士班; 施郁嫻
(書目-語言資料,印刷品)
, [撰]
主題
13.5-nm
13.5 nm
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