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張鐸瀚

概要

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書目資訊

參材質/雙材質具氧化層基體絕緣結構之三閘極金氧半場效電晶體含氧化層介面缺陷電荷之次臨界行為研究 = The Investigation on Subthreshold Behavior Model for the Tri-Material/Dual-Material SOI Triple-Gate MOSFETs with/without the Localized Interface Trapped Charges by: 國立高雄大學電機工程學系碩士班; 張鐸瀚 (書目-語言資料,印刷品) , [撰]

主題

Tri-Material/Dual-Material Triple-Gate MOSFETs 雙材質三閘極金氧半場效電晶體

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