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主題
邱翊紘
概要
作品:
2 作品在 1 項出版品 1 種語言
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参閘極與環繞閘極金氧半場效電晶體含氧化層介面缺陷電荷與絕緣層堆疊結構之次臨界行為研究 = The Investigation on Subthreshold Behavior Model for the Tri-Gate/Surrounding-Gate MOSFETs with the Interface Trapped Charges/Gate-Stack Structure
by: 國立高雄大學電機工程學系碩士班; 邱翊紘
(書目-語言資料,印刷品)
, [撰]
主題
Tri-Material Gate-Stack Surrounding-Gate MOSFETs
参閘極具堆疊結構金氧半場效電晶體
處理中
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