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以有機金屬化學氣相沈積法在矽基板上生長砷化鎵磊晶膜 = GaAs on ...
~
林彥甫
以有機金屬化學氣相沈積法在矽基板上生長砷化鎵磊晶膜 = GaAs on Si epitaxial growth by mocvd
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:
GaAs on Si epitaxial growth by mocvd
作者:
林彥甫,
出版地:
高雄市
出版者:
撰者;
出版年:
1988[民77]
面頁冊數:
[27], 78面圖 : 30公分;
附註:
指導教授：李明逵
附註:
參考書目：面75-78
以有機金屬化學氣相沈積法在矽基板上生長砷化鎵磊晶膜 = GaAs on Si epitaxial growth by mocvd
林, 彥甫
以有機金屬化學氣相沈積法在矽基板上生長砷化鎵磊晶膜
= GaAs on Si epitaxial growth by mocvd / 林彥甫撰 - 高雄市 : 撰者, 1988[民77]. - [27], 78面 ; 圖 ; 30公分.
指導教授：李明逵參考書目：面75-78.
以有機金屬化學氣相沈積法在矽基板上生長砷化鎵磊晶膜 = GaAs on Si epitaxial growth by mocvd
LDR
:00807cam0 2200229 450
001
111375
005
20100815062128.0
009
00276793
010
0
$b
精裝
100
$a
20090528y1988 k y0chiy09 e
101
1
$a
chi
$a
eng
$d
chi
$d
eng
102
$a
cw
105
$a
a m 000yy
200
1
$a
以有機金屬化學氣相沈積法在矽基板上生長砷化鎵磊晶膜
$d
GaAs on Si epitaxial growth by mocvd
$z
eng
$f
林彥甫撰
210
$a
高雄市
$d
1988[民77]
$c
撰者
215
0
$a
[27], 78面
$c
圖
$d
30公分
300
$a
指導教授：李明逵
300
$a
參考書目：面75-78
328
$a
碩士論文--國立中山大學電機工程研究所
510
1
$a
GaAs on Si epitaxial growth by mocvd
$z
eng
681
$a
008M/0009
$b
542201 4405
$v
增訂八版
700
$a
林
$b
彥甫
$4
撰
$3
140521
801
0
$a
cw
$b
NUK
$c
20070809
$g
CCR
801
1
$a
cw
$b
NUK
$c
20070809
$g
CCR
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博碩士論文區(二樓)
館藏
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1
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310001494874
博碩士論文區(二樓)
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學位論文
008M/0009 542201 4405 1988
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0
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