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具應變技術之90奈米SOI互補式金氧半場效電晶體特性分析與可靠度研究 =...

王振安

具應變技術之90奈米SOI互補式金氧半場效電晶體特性分析與可靠度研究 = The Investigation of Characteristic and Reliability for 90nm SOI CMOSFETs with Strain Technology

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	The Investigation of Characteristic and Reliability for 90nm SOI CMOSFETs with Strain Technology
作者:	王振安,
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	2007[民96]
面頁冊數:	110葉圖，表 : 30公分;
標題:	應變矽
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/29964989156012811243
附註:	指導教授：葉文冠
附註:	參考書目：葉81-89
附註:	附錄：1.投過的論文文章(IEDMS)；2.投過的論文文章(EDSSC)

具應變技術之90奈米SOI互補式金氧半場效電晶體特性分析與可靠度研究 = The Investigation of Characteristic and Reliability for 90nm SOI CMOSFETs with Strain Technology
王, 振安

具應變技術之90奈米SOI互補式金氧半場效電晶體特性分析與可靠度研究 = The Investigation of Characteristic and Reliability for 90nm SOI CMOSFETs with Strain Technology / 王振安撰 - [高雄市] : 撰者, 2007[民96]. - 110葉 ; 圖，表 ; 30公分.
指導教授：葉文冠參考書目：葉81-89附錄：1.投過的論文文章(IEDMS)；2.投過的論文文章(EDSSC).
應變矽

具應變技術之90奈米SOI互補式金氧半場效電晶體特性分析與可靠度研究 = The Investigation of Characteristic and Reliability for 90nm SOI CMOSFETs with Strain Technology
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300 $a 附錄：1.投過的論文文章(IEDMS)；2.投過的論文文章(EDSSC)
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系--先進電子構裝技術產業研發碩士專班
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610 0 $a 應變矽 $a 接觸蝕刻截止層 $a 絕緣層上矽 $a 全金屬矽化物
681 $a 008M/0019 $b 542201 1053 $v 增訂八版
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