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準分子雷射濺鍍Zr0.8Sn0.2TiO4薄膜材料之光電特性及其應用於M...

國立高雄大學電機工程學系碩士班

準分子雷射濺鍍Zr0.8Sn0.2TiO4薄膜材料之光電特性及其應用於MIS元件結構之光偵測響應研究 = The Study of Photoelectric Properties of the Zr0.8Sn0.2TiO4 Thin Films Deposited by Excimer Laser Sputtering and the Measurement of the Responsivity in a MIS Structure

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	The Study of Photoelectric Properties of the Zr0.8Sn0.2TiO4 Thin Films Deposited by Excimer Laser Sputtering and the Measurement of the Responsivity in a MIS Structure
作者:	莊絜敦,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	2008[民97]
面頁冊數:	122面圖，表 : 30公分;
標題:	ZST 薄膜
標題:	ZST thin film
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/52831850345246259867
附註:	指導教授：施明昌
附註:	參考書目：面119-121
摘要註:	本論文針對氟化氪 (KrF)準分子雷射濺鍍技術，沉積Zr0.8Sn0.2TiO4 (ZST)高介電材料於p-type 矽基板上，並應用於金屬-絕緣層-半導體 (MIS)結構之光偵測器元件。主要是利用矽半導體對光子能量的吸收特性，進而產生電子-電洞對，並討論不同光波段下，在外加電場影響而產生電子遷移現象，形成光電流。此MIS 結構為易製作的堆疊結構，且容易與製程整合。

準分子雷射濺鍍Zr0.8Sn0.2TiO4薄膜材料之光電特性及其應用於MIS元件結構之光偵測響應研究 = The Study of Photoelectric Properties of the Zr0.8Sn0.2TiO4 Thin Films Deposited by Excimer Laser Sputtering and the Measurement of the Responsivity in a MIS Structure
莊, 絜敦

準分子雷射濺鍍Zr0.8Sn0.2TiO4薄膜材料之光電特性及其應用於MIS元件結構之光偵測響應研究 = The Study of Photoelectric Properties of the Zr0.8Sn0.2TiO4 Thin Films Deposited by Excimer Laser Sputtering and the Measurement of the Responsivity in a MIS Structure / 莊絜敦撰 - [高雄市] : 撰者, 2008[民97]. - 122面 ; 圖，表 ; 30公分.
指導教授：施明昌參考書目：面119-121.
ZST 薄膜ZST thin film

準分子雷射濺鍍Zr0.8Sn0.2TiO4薄膜材料之光電特性及其應用於MIS元件結構之光偵測響應研究 = The Study of Photoelectric Properties of the Zr0.8Sn0.2TiO4 Thin Films Deposited by Excimer Laser Sputtering and the Measurement of the Responsivity in a MIS Structure
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