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Measurement and modeling of silicon ...
~
Cressler, John D.
Measurement and modeling of silicon heterostructure devices /
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:
Measurement and modeling of silicon heterostructure devices /edited by John D. Cressler.
其他作者:
Cressler, John D.
出版者:
Boca Raton, FL :CRC Press,c2008.
面頁冊數:
1 v. (various pagings) :ill. ;27 cm.
標題:
Bipolar transistorsMathematical models.
ISBN:
9781420066920
Measurement and modeling of silicon heterostructure devices /
Measurement and modeling of silicon heterostructure devices /
edited by John D. Cressler. - Boca Raton, FL :CRC Press,c2008. - 1 v. (various pagings) :ill. ;27 cm.
Includes bibliographical references and index.
ISBN: 9781420066920
LCCN: 2007030737Subjects--Topical Terms:
282959
Bipolar transistors
--Mathematical models.
LC Class. No.: TK7871.96.B55 / M33 2008
Dewey Class. No.: 621.3815/2
Measurement and modeling of silicon heterostructure devices /
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Includes bibliographical references and index.
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Bipolar transistors.
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Integrated circuits
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Cressler, John D.
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全部
西方語文圖書區(四樓)
館藏
1 筆 • 頁數 1 •
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320000469181
西方語文圖書區(四樓)
1圖書
一般圖書
TK7871.96.B55 M484 2008
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