射頻前端被動元件電路設計與基板參數研究探討 = Front-end Pa...
國立高雄大學電機工程學系碩士班

 

  • 射頻前端被動元件電路設計與基板參數研究探討 = Front-end Passive Component Circuits Design and Substrate Parameters Extracting
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : 單行本
    並列題名: Front-end Passive Component Circuits Design and Substrate Parameters Extracting
    作者: 林王昱,
    其他團體作者: 國立高雄大學
    出版地: [高雄市]
    出版者: 撰者;
    出版年: 2009[民98]
    面頁冊數: 104面圖、表 : 30公分;
    標題: 60 GHz WPAN
    標題: 60 GHz WPAN
    電子資源: http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/14113255361435952971
    附註: 參考書目:面
    附註: 指導教授:吳松茂
    摘要註: 本論文主要研究射頻前端被動元件-巴倫器的設計與製作,並針對其中在晶圓上的介電層和基板參數會隨頻率變化的部份來探討,能實際掌握材料電氣特性的情況,對於在電磁模擬上的分析能增加其準確程度。巴倫器在射頻前端電路中為一相當重要的關鍵性元件,能將單端訊號轉換為差動訊號,在巴倫器的製作上,分別利用ASE IPD和TSMC 0.18μm製程,實現兩顆巴倫器於晶片上,第一顆晶片為使用ASE IPD製程,製作平面式對稱巴倫器應用於WLAN與WiMAX頻帶;第二顆晶片為使用TSMC 0.18μm製程,製作堆疊式四分之一多層技術巴倫器應用於60 GHz WPAN頻帶;最後,針對以上兩顆晶片上的材料電氣特性會隨頻率變化的情況,在共平面波導上進行實驗,試著擷取出精確的介電層和基板參數,並討論此擷取方式的精確性,未來期待在射頻晶片的發展設計上,能提升在電磁模擬方面的準確性。 This thesis presents the design and research of passive component- Balun for RF front-end system and discuss that the parameters of dielectric layers and substrate are frequency-varying. To grasp the exact electrical performance of material may increase the degree of accuracy toward the analysis of electromagnetic simulation. Balun is a key component for RF system and can transfer the single-end signal to differential signal. Both these on wafer Baluns are designed with ASE IPD and TSMC 0.18μm fabrication process, respectively. One is a symmetrical planar Balun using ASE IPD fabrication process for WLAN and WiMAX system application. The other is a quarter multiple level stacked Balun using TSMC 0.18μm fabrication process for 60 GHz WPAN application. Finally, for the frequency-varying electrical performance of material above two chips, the experiment of extracting parameters on coplanar waveguide was be accomplished and tried to extract the exact parameters of dielectric and substrate. The accuracy of extracting function would be discussed. In the future, the development of exact extracting technology would promote the simulation level on RF chip design.
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  • 2 筆 • 頁數 1 •
 
310001860645 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 4416.2 2009 一般使用(Normal) 在架 0
310001860637 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 4416.2 2009 c.2 一般使用(Normal) 在架 0
  • 2 筆 • 頁數 1 •
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