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QCET 模型的最大長度之期後誤差估計第一部份:理論 = Maximum...
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國立高雄大學應用數學系碩士班
QCET 模型的最大長度之期後誤差估計第一部份:理論 = Maximum Norm A Posteriori Error Estimate for the Quantum-Corrected Energy Transport Model Part I: Theory
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:
Maximum Norm A Posteriori Error Estimate for the Quantum-Corrected Energy Transport Model Part I: Theory
作者:
林常宇,
其他團體作者:
國立高雄大學
出版地:
[高雄市]
出版者:
撰者;
出版年:
2009[民98]
面頁冊數:
46面圖、表 : 30公分;
標題:
QCET model
標題:
期後誤差估計
電子資源:
http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/64230601634301481631
附註:
參考書目:面
附註:
指導教授:劉晉良
摘要註:
這個量子校正的能量運輸模型是由七條自身伴隨非線性的偏微分方程式所組成,它所探討的是奈米半導體裝置中,電子流和電洞流的穩定性,能量轉換的穩定性,再加上古典電位能和量子電位能的穩定性。我們引用一套期後誤差估計的方法在我們的模型上,這個誤差估計的方法能幫助我們在未來網格點適應性加切時,能當作為誤差指標。 The quantum-corrected energy transport (QCET) model consisting of seven self-adjoint nonlinear PDEs describes the steady state of electron and hole flows, their energy transport, and classical and quantum potentials within a nano-scale semiconductor device. We develop a second-order maximum norm a posteriori error estimate proposed by Kopteva [11] for the QCET which after scaling involves the scaled Debye length, intrinsic carrier density, Planck constant, and thermal conductivity as the singular perturbation parameters. This estimate can be used as an error indicator for the refinement process in an adaptive algorithm.
QCET 模型的最大長度之期後誤差估計第一部份:理論 = Maximum Norm A Posteriori Error Estimate for the Quantum-Corrected Energy Transport Model Part I: Theory
林, 常宇
QCET 模型的最大長度之期後誤差估計第一部份:理論
= Maximum Norm A Posteriori Error Estimate for the Quantum-Corrected Energy Transport Model Part I: Theory / 林常宇撰 - [高雄市] : 撰者, 2009[民98]. - 46面 ; 圖、表 ; 30公分.
參考書目:面指導教授:劉晉良.
QCET model期後誤差估計
QCET 模型的最大長度之期後誤差估計第一部份:理論 = Maximum Norm A Posteriori Error Estimate for the Quantum-Corrected Energy Transport Model Part I: Theory
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碩士論文--國立高雄大學應用數學系碩士班
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這個量子校正的能量運輸模型是由七條自身伴隨非線性的偏微分方程式所組成,它所探討的是奈米半導體裝置中,電子流和電洞流的穩定性,能量轉換的穩定性,再加上古典電位能和量子電位能的穩定性。我們引用一套期後誤差估計的方法在我們的模型上,這個誤差估計的方法能幫助我們在未來網格點適應性加切時,能當作為誤差指標。 The quantum-corrected energy transport (QCET) model consisting of seven self-adjoint nonlinear PDEs describes the steady state of electron and hole flows, their energy transport, and classical and quantum potentials within a nano-scale semiconductor device. We develop a second-order maximum norm a posteriori error estimate proposed by Kopteva [11] for the QCET which after scaling involves the scaled Debye length, intrinsic carrier density, Planck constant, and thermal conductivity as the singular perturbation parameters. This estimate can be used as an error indicator for the refinement process in an adaptive algorithm.
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310001860959
博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 462101 4493 2009
一般使用(Normal)
在架
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博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 462101 4493 2009 c.2
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